Apakah itu CVD SiC
Pemendapan wap kimia (CVD) ialah proses pemendapan vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan pepejal ketulenan tinggi. Proses ini sering digunakan dalam bidang pembuatan semikonduktor untuk membentuk filem nipis pada permukaan wafer. Dalam proses penyediaan SiC oleh CVD, substrat terdedah kepada satu atau lebih prekursor yang tidak menentu, yang bertindak balas secara kimia pada permukaan substrat untuk mendepositkan deposit SiC yang dikehendaki. Di antara banyak kaedah untuk menyediakan bahan SiC, produk yang disediakan oleh pemendapan wap kimia mempunyai keseragaman dan ketulenan yang tinggi, dan kaedah itu mempunyai kebolehkawalan proses yang kuat.
Bahan CVD SiC sangat sesuai digunakan dalam industri semikonduktor yang memerlukan bahan berprestasi tinggi kerana gabungan unik sifat terma, elektrik dan kimia yang sangat baik. Komponen SiC CVD digunakan secara meluas dalam peralatan epitaksi, peralatan MOCVD, peralatan epitaxial Si dan peralatan epitaxial SiC, peralatan pemprosesan terma pesat dan bidang lain.
Secara keseluruhannya, segmen pasaran terbesar bagi komponen CVD SiC ialah komponen peralatan etsa. Oleh kerana kereaktifan dan kekonduksiannya yang rendah kepada gas etsa yang mengandungi klorin dan fluorin, silikon karbida CVD ialah bahan yang sesuai untuk komponen seperti cincin fokus dalam peralatan etsa plasma.
Komponen silikon karbida CVD dalam peralatan etsa termasuk gelang fokus, kepala pancuran gas, dulang, gelang tepi, dsb. Mengambil gelang fokus sebagai contoh, gelang fokus ialah komponen penting yang diletakkan di luar wafer dan bersentuhan terus dengan wafer. Dengan menggunakan voltan pada cincin untuk memfokuskan plasma yang melalui cincin, plasma difokuskan pada wafer untuk meningkatkan keseragaman pemprosesan.
Cincin fokus tradisional diperbuat daripada silikon atau kuarza. Dengan kemajuan pengecilan litar bersepadu, permintaan dan kepentingan proses goresan dalam pembuatan litar bersepadu semakin meningkat, dan kuasa dan tenaga plasma goresan terus meningkat. Khususnya, tenaga plasma yang diperlukan dalam peralatan etsa plasma gandingan kapasitif (CCP) adalah lebih tinggi, jadi kadar penggunaan gelang fokus yang diperbuat daripada bahan silikon karbida semakin meningkat. Gambar rajah skema cincin fokus silikon karbida CVD ditunjukkan di bawah:
Masa siaran: Jun-20-2024