Hujung hadapan, tengah dan belakang barisan pengeluaran pembuatan semikonduktor
Proses pembuatan semikonduktor boleh dibahagikan secara kasar kepada tiga peringkat:
1) Barisan hujung hadapan
2) Pertengahan hujung baris
3) Bahagian hujung belakang
Kita boleh menggunakan analogi mudah seperti membina rumah untuk meneroka proses pembuatan cip yang kompleks:
Bahagian hadapan barisan pengeluaran adalah seperti meletakkan asas dan membina dinding rumah. Dalam pembuatan semikonduktor, peringkat ini melibatkan penciptaan struktur asas dan transistor pada wafer silikon.
Langkah Utama FEOL:
1.Pembersihan: Mulakan dengan wafer silikon nipis dan bersihkan untuk membuang sebarang kekotoran.
2. Pengoksidaan: Tumbuhkan lapisan silikon dioksida pada wafer untuk mengasingkan bahagian cip yang berlainan.
3.Fotolitografi: Gunakan fotolitografi untuk menggores corak pada wafer, sama seperti melukis pelan tindakan dengan cahaya.
4.Etching: Goreskan silikon dioksida yang tidak diingini untuk mendedahkan corak yang diingini.
5. Doping: Masukkan bendasing ke dalam silikon untuk mengubah sifat elektriknya, mencipta transistor, blok binaan asas mana-mana cip.
Garis Akhir Pertengahan (MEOL): Menyambung Titik
Bahagian tengah barisan pengeluaran adalah seperti memasang pendawaian dan paip di rumah. Peringkat ini memberi tumpuan kepada mewujudkan sambungan antara transistor yang dicipta dalam peringkat FEOL.
Langkah Utama MEOL:
1. Pemendapan Dielektrik: Lapisan penebat deposit (dipanggil dielektrik) untuk melindungi transistor.
2.Pembentukan Kenalan: Bentuk kenalan untuk menyambungkan transistor antara satu sama lain dan dunia luar.
3.Sambung Sambung: Tambahkan lapisan logam untuk mencipta laluan bagi isyarat elektrik, sama seperti pendawaian rumah untuk memastikan kuasa dan aliran data lancar.
Garis Hujung Belakang (BEOL): Sentuhan Penamat
Bahagian belakang barisan pengeluaran adalah seperti menambahkan sentuhan terakhir pada rumah—memasang lekapan, mengecat dan memastikan semuanya berfungsi. Dalam pembuatan semikonduktor, peringkat ini melibatkan penambahan lapisan akhir dan penyediaan cip untuk pembungkusan.
Langkah Utama BEOL:
1.Lapisan Logam Tambahan: Tambahkan berbilang lapisan logam untuk meningkatkan kesalinghubungan, memastikan cip boleh mengendalikan tugas yang rumit dan kelajuan tinggi.
2.Passivation: Sapukan lapisan pelindung untuk melindungi cip daripada kerosakan alam sekitar.
3. Pengujian: Tundukkan cip kepada ujian yang ketat untuk memastikan ia memenuhi semua spesifikasi.
4. Dicing: Potong wafer menjadi cip individu, setiap satunya sedia untuk dibungkus dan digunakan dalam peranti elektronik.
Semicera ialah pengeluar OEM terkemuka di China, berdedikasi untuk memberikan nilai yang luar biasa kepada pelanggan kami. Kami menawarkan rangkaian produk dan perkhidmatan berkualiti tinggi yang komprehensif, termasuk:
1.Salutan SiC CVD(Epitaksi, bahagian bersalut CVD tersuai, salutan berprestasi tinggi untuk aplikasi semikonduktor dan banyak lagi)
2.Bahagian Pukal SiC CVD(Gelang etch, cincin fokus, komponen SiC tersuai untuk peralatan semikonduktor dan banyak lagi)
3.Bahagian Bersalut CVD TaC(Epitaxy, pertumbuhan wafer SiC, aplikasi suhu tinggi dan banyak lagi)
4.Bahagian Grafit(Bot grafit, komponen grafit tersuai untuk pemprosesan suhu tinggi dan banyak lagi)
5.Bahagian SiC(Bot SiC, tiub relau SiC, komponen SiC tersuai untuk pemprosesan bahan lanjutan dan banyak lagi)
6.Bahagian Kuarza(Bot kuarza, bahagian kuarza tersuai untuk industri semikonduktor dan solar, dan banyak lagi)
Komitmen kami terhadap kecemerlangan memastikan kami menyediakan penyelesaian yang inovatif dan boleh dipercayai untuk pelbagai industri, termasuk pembuatan semikonduktor, pemprosesan bahan termaju dan aplikasi berteknologi tinggi. Dengan tumpuan pada ketepatan dan kualiti, kami berdedikasi untuk memenuhi keperluan unik setiap pelanggan.
Masa siaran: Dis-09-2024