-
Proses Pengilangan Semikonduktor – Teknologi Etch
Beratus-ratus proses diperlukan untuk menukar wafer menjadi semikonduktor. Salah satu proses yang paling penting ialah etsa - iaitu mengukir corak litar halus pada wafer. Kejayaan proses goresan bergantung pada mengurus pelbagai pembolehubah dalam julat pengedaran yang ditetapkan, dan setiap goresan...Baca lagi -
Bahan Ideal untuk Cincin Fokus dalam Peralatan Etsa Plasma: Silicon Carbide (SiC)
Dalam peralatan etsa plasma, komponen seramik memainkan peranan penting, termasuk cincin fokus. Cincin fokus, diletakkan di sekeliling wafer dan bersentuhan langsung dengannya, adalah penting untuk memfokuskan plasma pada wafer dengan menggunakan voltan pada cincin. Ini meningkatkan un...Baca lagi -
Barisan Hujung Hadapan (FEOL): Meletakkan Asas
Bahagian hadapan barisan pengeluaran adalah seperti meletakkan asas dan membina dinding rumah. Dalam pembuatan semikonduktor, peringkat ini melibatkan penciptaan struktur asas dan transistor pada wafer silikon. Langkah Utama FEOL: ...Baca lagi -
Kesan pemprosesan kristal tunggal silikon karbida pada kualiti permukaan wafer
Peranti kuasa semikonduktor menduduki kedudukan teras dalam sistem elektronik kuasa, terutamanya dalam konteks perkembangan pesat teknologi seperti kecerdasan buatan, komunikasi 5G dan kenderaan tenaga baharu, keperluan prestasi untuk mereka telah ...Baca lagi -
Bahan teras utama untuk pertumbuhan SiC: Salutan karbida Tantalum
Pada masa ini, semikonduktor generasi ketiga dikuasai oleh silikon karbida. Dalam struktur kos perantinya, substrat menyumbang 47%, dan epitaksi menyumbang 23%. Kedua-duanya bersama-sama menyumbang kira-kira 70%, yang merupakan bahagian terpenting dalam pembuatan peranti silikon karbida...Baca lagi -
Bagaimanakah produk bersalut tantalum karbida meningkatkan ketahanan kakisan bahan?
Salutan karbida Tantalum ialah teknologi rawatan permukaan yang biasa digunakan yang boleh meningkatkan ketahanan kakisan bahan dengan ketara. Salutan karbida tantalum boleh dilekatkan pada permukaan substrat melalui kaedah penyediaan yang berbeza, seperti pemendapan wap kimia, fizik...Baca lagi -
Semalam, Lembaga Inovasi Sains dan Teknologi telah mengeluarkan pengumuman bahawa Huazhuo Precision Technology telah menamatkan IPOnya!
Baru sahaja mengumumkan penghantaran peralatan penyepuhlindapan laser SIC 8 inci yang pertama di China, yang juga merupakan teknologi Tsinghua; Mengapa mereka menarik balik bahan itu sendiri? Hanya beberapa perkataan: Pertama, produknya terlalu pelbagai! Pada pandangan pertama, saya tidak tahu apa yang mereka lakukan. Pada masa ini, H...Baca lagi -
Salutan silikon karbida CVD-2
Salutan silikon karbida CVD 1. Mengapakah terdapat salutan silikon karbida Lapisan epitaxial ialah filem nipis kristal tunggal khusus yang ditanam berdasarkan wafer melalui proses epitaxial. Wafer substrat dan filem nipis epitaxial secara kolektif dipanggil wafer epitaxial. Antaranya,...Baca lagi -
Proses penyediaan salutan SIC
Pada masa ini, kaedah penyediaan salutan SiC terutamanya termasuk kaedah gel-sol, kaedah benam, kaedah salutan berus, kaedah semburan plasma, kaedah tindak balas wap kimia (CVR) dan kaedah pemendapan wap kimia (CVD). Kaedah benam Kaedah ini ialah sejenis fasa pepejal suhu tinggi ...Baca lagi -
Salutan Silikon Karbida CVD-1
Apakah itu CVD SiC Pemendapan wap kimia (CVD) ialah proses pemendapan vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan pepejal ketulenan tinggi. Proses ini sering digunakan dalam bidang pembuatan semikonduktor untuk membentuk filem nipis pada permukaan wafer. Dalam proses penyediaan SiC oleh CVD, substrat adalah ...Baca lagi -
Analisis struktur kehelan dalam kristal SiC melalui simulasi pengesanan sinar dibantu oleh pengimejan topologi sinar-X
Latar belakang penyelidikan Kepentingan aplikasi silikon karbida (SiC): Sebagai bahan semikonduktor celah jalur lebar, silikon karbida telah menarik banyak perhatian kerana sifat elektriknya yang sangat baik (seperti celah jalur yang lebih besar, halaju tepu elektron yang lebih tinggi dan kekonduksian terma). prop ini...Baca lagi -
Proses penyediaan hablur benih dalam pertumbuhan kristal tunggal SiC 3
Pengesahan PertumbuhanHablur benih silikon karbida (SiC) telah disediakan mengikut proses yang digariskan dan disahkan melalui pertumbuhan kristal SiC. Platform pertumbuhan yang digunakan ialah relau pertumbuhan aruhan SiC yang dibangunkan sendiri dengan suhu pertumbuhan 2200 ℃, tekanan pertumbuhan 200 Pa, dan pertumbuhan...Baca lagi