-
Proses Penyediaan Kristal Benih dalam Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC (Bahagian 2)
2. Proses Eksperimen 2.1 Pengawetan Filem PelekatAdalah diperhatikan bahawa mencipta filem karbon secara langsung atau ikatan dengan kertas grafit pada wafer SiC yang disalut dengan pelekat membawa kepada beberapa isu: 1. Di bawah keadaan vakum, filem pelekat pada wafer SiC menghasilkan rupa seperti sisik disebabkan untuk menandatangani...Baca lagi -
Proses Penyediaan Kristal Benih dalam Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC
Bahan silikon karbida (SiC) mempunyai kelebihan antara jurang jalur lebar, kekonduksian terma yang tinggi, kekuatan medan pecahan kritikal yang tinggi, dan halaju hanyutan elektron tepu yang tinggi, menjadikannya sangat menjanjikan dalam bidang pembuatan semikonduktor. Kristal tunggal SiC biasanya dihasilkan melalui...Baca lagi -
Apakah kaedah untuk menggilap wafer?
Daripada semua proses yang terlibat dalam mencipta cip, nasib terakhir wafer adalah untuk dipotong menjadi dadu individu dan dibungkus dalam kotak kecil tertutup dengan hanya beberapa pin terdedah. Cip akan dinilai berdasarkan nilai ambang, rintangan, arus dan voltannya, tetapi tiada siapa yang akan mempertimbangkan ...Baca lagi -
Pengenalan Asas Proses Pertumbuhan Epitaxial SiC
Lapisan epitaxial ialah filem kristal tunggal khusus yang ditanam pada wafer melalui proses ep·itaxial, dan wafer substrat dan filem epitaxial dipanggil wafer epitaxial. Dengan mengembangkan lapisan epitaxial silikon karbida pada substrat silikon karbida konduktif, silikon karbida epitaxial homogen...Baca lagi -
Perkara utama kawalan kualiti proses pembungkusan semikonduktor
Perkara Utama untuk Kawalan Kualiti dalam Proses Pembungkusan SemikonduktorPada masa ini, teknologi proses untuk pembungkusan semikonduktor telah bertambah baik dan dioptimumkan dengan ketara. Walau bagaimanapun, dari perspektif keseluruhan, proses dan kaedah untuk pembungkusan semikonduktor masih belum mencapai tahap yang paling...Baca lagi -
Cabaran dalam Proses Pembungkusan Semikonduktor
Teknik semasa untuk pembungkusan semikonduktor secara beransur-ansur bertambah baik, tetapi sejauh mana peralatan dan teknologi automatik diguna pakai dalam pembungkusan semikonduktor secara langsung menentukan realisasi hasil yang diharapkan. Proses pembungkusan semikonduktor sedia ada masih mengalami...Baca lagi -
Penyelidikan dan Analisis Proses Pembungkusan Semikonduktor
Gambaran Keseluruhan Proses Semikonduktor Proses semikonduktor terutamanya melibatkan penggunaan teknologi mikrofabrikasi dan filem untuk menyambung sepenuhnya cip dan elemen lain dalam pelbagai kawasan, seperti substrat dan bingkai. Ini memudahkan pengekstrakan terminal plumbum dan enkapsulasi dengan...Baca lagi -
Trend Baru dalam Industri Semikonduktor: Aplikasi Teknologi Salutan Pelindung
Industri semikonduktor menyaksikan pertumbuhan yang tidak pernah berlaku sebelum ini, terutamanya dalam bidang elektronik kuasa silikon karbida (SiC). Dengan banyak fabrik wafer berskala besar yang sedang dalam pembinaan atau pengembangan untuk memenuhi permintaan yang melonjak untuk peranti SiC dalam kenderaan elektrik, ini ...Baca lagi -
Apakah langkah utama dalam pemprosesan substrat SiC?
Cara kami menghasilkan langkah-langkah pemprosesan untuk substrat SiC adalah seperti berikut: 1. Orientasi Kristal: Menggunakan pembelauan sinar-X untuk mengorientasikan jongkong kristal. Apabila pancaran sinar-X diarahkan pada muka kristal yang diingini, sudut pancaran difraksi menentukan orientasi kristal...Baca lagi -
Bahan penting yang menentukan kualiti pertumbuhan silikon kristal tunggal - medan haba
Proses pertumbuhan silikon kristal tunggal sepenuhnya dijalankan dalam medan haba. Medan haba yang baik adalah kondusif untuk meningkatkan kualiti kristal dan mempunyai kecekapan penghabluran yang tinggi. Reka bentuk medan haba sebahagian besarnya menentukan perubahan dan perubahan...Baca lagi -
Apakah pertumbuhan epitaxial?
Pertumbuhan epitaxial ialah teknologi yang menumbuhkan satu lapisan kristal pada substrat kristal tunggal (substrat) dengan orientasi kristal yang sama dengan substrat, seolah-olah kristal asal telah memanjang ke luar. Lapisan kristal tunggal yang baru tumbuh ini boleh berbeza daripada substrat dari segi c...Baca lagi -
Apakah perbezaan antara substrat dan epitaksi?
Dalam proses penyediaan wafer, terdapat dua pautan teras: satu ialah penyediaan substrat, dan satu lagi ialah pelaksanaan proses epitaxial. Substrat, wafer yang dibuat dengan teliti daripada bahan kristal tunggal semikonduktor, boleh terus dimasukkan ke dalam pembuatan wafer ...Baca lagi