-
Semalam, Lembaga Inovasi Sains dan Teknologi telah mengeluarkan pengumuman bahawa Huazhuo Precision Technology telah menamatkan IPOnya!
Baru sahaja mengumumkan penghantaran peralatan penyepuhlindapan laser SIC 8 inci yang pertama di China, yang juga merupakan teknologi Tsinghua; Mengapa mereka menarik balik bahan itu sendiri? Hanya beberapa perkataan: Pertama, produknya terlalu pelbagai! Pada pandangan pertama, saya tidak tahu apa yang mereka lakukan. Pada masa ini, H...Baca lagi -
Salutan silikon karbida CVD-2
Salutan silikon karbida CVD 1. Mengapakah terdapat salutan silikon karbida Lapisan epitaxial ialah filem nipis kristal tunggal khusus yang ditanam berdasarkan wafer melalui proses epitaxial. Wafer substrat dan filem nipis epitaxial secara kolektif dipanggil wafer epitaxial. Antaranya,...Baca lagi -
Proses penyediaan salutan SIC
Pada masa ini, kaedah penyediaan salutan SiC terutamanya termasuk kaedah gel-sol, kaedah benam, kaedah salutan berus, kaedah semburan plasma, kaedah tindak balas wap kimia (CVR) dan kaedah pemendapan wap kimia (CVD). Kaedah benam Kaedah ini ialah sejenis fasa pepejal suhu tinggi ...Baca lagi -
Salutan Silikon Karbida CVD-1
Apakah itu CVD SiC Pemendapan wap kimia (CVD) ialah proses pemendapan vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan pepejal ketulenan tinggi. Proses ini sering digunakan dalam bidang pembuatan semikonduktor untuk membentuk filem nipis pada permukaan wafer. Dalam proses penyediaan SiC oleh CVD, substrat adalah ...Baca lagi -
Analisis struktur kehelan dalam kristal SiC melalui simulasi pengesanan sinar dibantu oleh pengimejan topologi sinar-X
Latar belakang penyelidikan Kepentingan aplikasi silikon karbida (SiC): Sebagai bahan semikonduktor celah jalur lebar, silikon karbida telah menarik banyak perhatian kerana sifat elektriknya yang sangat baik (seperti celah jalur yang lebih besar, halaju tepu elektron yang lebih tinggi dan kekonduksian terma). prop ini...Baca lagi -
Proses penyediaan hablur benih dalam pertumbuhan kristal tunggal SiC 3
Pengesahan PertumbuhanHablur benih silikon karbida (SiC) telah disediakan mengikut proses yang digariskan dan disahkan melalui pertumbuhan kristal SiC. Platform pertumbuhan yang digunakan ialah relau pertumbuhan aruhan SiC yang dibangunkan sendiri dengan suhu pertumbuhan 2200 ℃, tekanan pertumbuhan 200 Pa, dan pertumbuhan...Baca lagi -
Proses Penyediaan Kristal Benih dalam Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC (Bahagian 2)
2. Proses Eksperimen 2.1 Pengawetan Filem PelekatAdalah diperhatikan bahawa mencipta filem karbon secara langsung atau ikatan dengan kertas grafit pada wafer SiC yang disalut dengan pelekat membawa kepada beberapa isu: 1. Di bawah keadaan vakum, filem pelekat pada wafer SiC menghasilkan rupa seperti sisik disebabkan untuk menandatangani...Baca lagi -
Proses Penyediaan Kristal Benih dalam Pertumbuhan Kristal Tunggal SiC
Bahan silikon karbida (SiC) mempunyai kelebihan antara jurang jalur lebar, kekonduksian terma yang tinggi, kekuatan medan pecahan kritikal yang tinggi, dan halaju hanyutan elektron tepu yang tinggi, menjadikannya sangat menjanjikan dalam bidang pembuatan semikonduktor. Kristal tunggal SiC biasanya dihasilkan melalui...Baca lagi -
Apakah kaedah untuk menggilap wafer?
Daripada semua proses yang terlibat dalam mencipta cip, nasib terakhir wafer adalah untuk dipotong menjadi dadu individu dan dibungkus dalam kotak kecil tertutup dengan hanya beberapa pin terdedah. Cip akan dinilai berdasarkan nilai ambang, rintangan, arus dan voltannya, tetapi tiada siapa yang akan mempertimbangkan ...Baca lagi -
Pengenalan Asas Proses Pertumbuhan Epitaxial SiC
Lapisan epitaxial ialah filem kristal tunggal khusus yang ditanam pada wafer melalui proses ep·itaxial, dan wafer substrat dan filem epitaxial dipanggil wafer epitaxial. Dengan mengembangkan lapisan epitaxial silikon karbida pada substrat silikon karbida konduktif, silikon karbida epitaxial homogen...Baca lagi -
Perkara utama kawalan kualiti proses pembungkusan semikonduktor
Perkara Utama untuk Kawalan Kualiti dalam Proses Pembungkusan SemikonduktorPada masa ini, teknologi proses untuk pembungkusan semikonduktor telah bertambah baik dan dioptimumkan dengan ketara. Walau bagaimanapun, dari perspektif keseluruhan, proses dan kaedah untuk pembungkusan semikonduktor masih belum mencapai tahap yang paling...Baca lagi -
Cabaran dalam Proses Pembungkusan Semikonduktor
Teknik semasa untuk pembungkusan semikonduktor secara beransur-ansur bertambah baik, tetapi sejauh mana peralatan dan teknologi automatik diguna pakai dalam pembungkusan semikonduktor secara langsung menentukan realisasi hasil yang diharapkan. Proses pembungkusan semikonduktor sedia ada masih mengalami...Baca lagi