-
Apakah Tantalum Carbide?
Tantalum karbida (TaC) ialah sebatian binari tantalum dan karbon dengan formula kimia TaC x, di mana x biasanya berbeza antara 0.4 dan 1. Ia adalah bahan seramik yang sangat keras, rapuh, refraktori dengan kekonduksian logam. Ia adalah serbuk kelabu coklat dan kita...Baca lagi -
apa itu tantalum karbida
Tantalum karbida (TaC) ialah bahan seramik suhu ultra tinggi dengan rintangan suhu tinggi, ketumpatan tinggi, kekompakan tinggi; ketulenan tinggi, kandungan kekotoran <5PPM; dan lengai kimia kepada ammonia dan hidrogen pada suhu tinggi, dan kestabilan haba yang baik. Apa yang dipanggil ultra-tinggi ...Baca lagi -
Apakah epitaksi?
Kebanyakan jurutera tidak biasa dengan epitaksi, yang memainkan peranan penting dalam pembuatan peranti semikonduktor. Epitaksi boleh digunakan dalam produk cip yang berbeza, dan produk yang berbeza mempunyai jenis epitaksi yang berbeza, termasuk epitaksi Si, epitaksi SiC, epitaksi GaN, dll. Apakah epitaksi? Epitaksi ialah...Baca lagi -
Apakah parameter penting SiC?
Silikon karbida (SiC) ialah bahan semikonduktor celah jalur lebar yang penting digunakan secara meluas dalam peranti elektronik berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi. Berikut ialah beberapa parameter utama wafer silikon karbida dan penjelasan terperincinya: Parameter Kekisi:Pastikan bahawa ...Baca lagi -
Mengapakah silikon kristal tunggal perlu digulung?
Menggolek merujuk kepada proses mengisar diameter luar rod kristal tunggal silikon ke dalam rod kristal tunggal diameter yang diperlukan menggunakan roda pengisar berlian, dan mengisar permukaan rujukan tepi rata atau alur kedudukan rod kristal tunggal. Permukaan diameter luar...Baca lagi -
Proses untuk Menghasilkan Serbuk SiC Berkualiti Tinggi
Silikon karbida (SiC) ialah sebatian tak organik yang terkenal dengan sifatnya yang luar biasa. SiC yang wujud secara semula jadi, dikenali sebagai moissanite, agak jarang berlaku. Dalam aplikasi industri, silikon karbida kebanyakannya dihasilkan melalui kaedah sintetik. Di Semicera Semiconductor, kami memanfaatkan teknologi canggih...Baca lagi -
Kawalan keseragaman kerintangan jejari semasa penarikan kristal
Sebab utama yang mempengaruhi keseragaman kerintangan jejari bagi kristal tunggal ialah kerataan antara muka pepejal-cecair dan kesan satah kecil semasa pertumbuhan kristal Pengaruh kerataan antara muka pepejal-cecair Semasa pertumbuhan kristal, jika leburan dikacau secara sekata , yang...Baca lagi -
Mengapa relau kristal tunggal medan magnet boleh meningkatkan kualiti kristal tunggal
Oleh kerana pijar digunakan sebagai bekas dan terdapat perolakan di dalamnya, apabila saiz kristal tunggal yang dihasilkan meningkat, perolakan haba dan keseragaman kecerunan suhu menjadi lebih sukar untuk dikawal. Dengan menambahkan medan magnet untuk membuat leburan konduktif bertindak pada daya Lorentz, perolakan boleh...Baca lagi -
Pertumbuhan pesat kristal tunggal SiC menggunakan sumber pukal CVD-SiC melalui kaedah pemejalwapan
Pertumbuhan Pantas Kristal Tunggal SiC Menggunakan Sumber Pukal CVD-SiC melalui Kaedah SublimasiDengan menggunakan blok CVD-SiC kitar semula sebagai sumber SiC, kristal SiC berjaya ditanam pada kadar 1.46 mm/j melalui kaedah PVT. Ketumpatan mikropaip dan kehelan kristal yang tumbuh menunjukkan bahawa de...Baca lagi -
Kandungan Dioptimumkan dan Diterjemah pada Peralatan Pertumbuhan Epitaxial Silicon Carbide
Substrat silikon karbida (SiC) mempunyai banyak kecacatan yang menghalang pemprosesan langsung. Untuk mencipta wafer cip, filem kristal tunggal tertentu mesti ditanam pada substrat SiC melalui proses epitaxial. Filem ini dikenali sebagai lapisan epitaxial. Hampir semua peranti SiC direalisasikan pada epitaxial...Baca lagi -
Peranan Penting dan Kes Aplikasi Susceptors Grafit Bersalut SiC dalam Pembuatan Semikonduktor
Semicera Semiconductor merancang untuk meningkatkan pengeluaran komponen teras untuk peralatan pembuatan semikonduktor di seluruh dunia. Menjelang 2027, kami menyasarkan untuk menubuhkan kilang baru seluas 20,000 meter persegi dengan jumlah pelaburan sebanyak 70 juta USD. Salah satu komponen teras kami, wafer silikon karbida (SiC)...Baca lagi -
Mengapa kita perlu melakukan epitaksi pada substrat wafer silikon?
Dalam rantaian industri semikonduktor, terutamanya dalam rantai industri semikonduktor generasi ketiga (semikonduktor celah jalur lebar), terdapat substrat dan lapisan epitaxial. Apakah kepentingan lapisan epitaxial? Apakah perbezaan antara substrat dan substrat? Substr...Baca lagi