-
Prestasi Cemerlang Bot Wafer Silicon Carbide dalam Pertumbuhan Kristal
Proses pertumbuhan kristal terletak di tengah-tengah fabrikasi semikonduktor, di mana pengeluaran wafer berkualiti tinggi adalah penting. Komponen penting dalam proses ini ialah bot wafer silikon karbida (SiC). Bot wafer SiC telah mendapat pengiktirafan yang ketara dalam industri kerana kecuali...Baca lagi -
Kekonduksian Terma Yang Luar Biasa Pemanas Grafit dalam Medan Terma Relau Kristal Tunggal
Dalam bidang teknologi relau kristal tunggal, kecekapan dan ketepatan pengurusan haba adalah yang terpenting. Mencapai keseragaman dan kestabilan suhu optimum adalah penting dalam mengembangkan kristal tunggal berkualiti tinggi. Untuk menangani cabaran ini, pemanas grafit telah muncul sebagai...Baca lagi -
Kestabilan Terma Komponen Kuarza dalam Industri Semikonduktor
Pengenalan Dalam industri semikonduktor, kestabilan haba adalah amat penting untuk memastikan operasi komponen kritikal yang boleh dipercayai dan cekap. Kuarza, bentuk kristal silikon dioksida (SiO2), telah mendapat pengiktirafan yang ketara untuk sifat kestabilan haba yang luar biasa. T...Baca lagi -
Rintangan Kakisan Salutan Tantalum Carbide dalam Industri Semikonduktor
Tajuk: Rintangan Kakisan Salutan Tantalum Carbide dalam Industri Semikonduktor Pengenalan Dalam industri semikonduktor, kakisan menimbulkan cabaran besar kepada jangka hayat dan prestasi komponen kritikal. Salutan tantalum karbida (TaC) telah muncul sebagai penyelesaian yang menjanjikan ...Baca lagi -
Bagaimana untuk mengukur rintangan kepingan filem nipis?
Filem nipis yang digunakan dalam pembuatan semikonduktor semuanya mempunyai rintangan, dan rintangan filem mempunyai kesan langsung ke atas prestasi peranti. Kami biasanya tidak mengukur rintangan mutlak filem, tetapi menggunakan rintangan helaian untuk mencirikannya. Apakah rintangan helaian dan rintangan volum...Baca lagi -
Bolehkah penggunaan salutan silikon karbida CVD secara berkesan meningkatkan hayat kerja komponen?
Salutan silikon karbida CVD adalah teknologi yang membentuk filem nipis pada permukaan komponen, yang boleh menjadikan komponen mempunyai rintangan haus yang lebih baik, rintangan kakisan, rintangan suhu tinggi dan sifat lain. Ciri-ciri cemerlang ini menjadikan salutan silikon karbida CVD secara meluas...Baca lagi -
Adakah salutan silikon karbida CVD mempunyai sifat redaman yang sangat baik?
Ya, salutan silikon karbida CVD mempunyai sifat redaman yang sangat baik. Redaman merujuk kepada keupayaan objek untuk menghilangkan tenaga dan mengurangkan amplitud getaran apabila ia tertakluk kepada getaran atau hentaman. Dalam banyak aplikasi, sifat redaman sangat diimport...Baca lagi -
Semikonduktor silikon karbida: masa depan yang mesra alam dan cekap
Dalam bidang bahan semikonduktor, silikon karbida (SiC) telah muncul sebagai calon yang menjanjikan untuk generasi akan datang semikonduktor yang cekap dan mesra alam. Dengan sifat dan potensinya yang unik, semikonduktor silikon karbida membuka jalan ke arah yang lebih mampan...Baca lagi -
Prospek permohonan bot wafer silikon karbida dalam bidang semikonduktor
Dalam bidang semikonduktor, pemilihan bahan adalah penting untuk prestasi peranti dan pembangunan proses. Dalam tahun-tahun kebelakangan ini, wafer silikon karbida, sebagai bahan yang baru muncul, telah menarik perhatian meluas dan telah menunjukkan potensi besar untuk digunakan dalam bidang semikonduktor. siliko...Baca lagi -
Prospek aplikasi seramik silikon karbida dalam bidang tenaga suria fotovoltaik
Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, apabila permintaan global untuk tenaga boleh diperbaharui telah meningkat, tenaga solar fotovoltaik telah menjadi semakin penting sebagai pilihan tenaga yang bersih dan mampan. Dalam pembangunan teknologi fotovoltaik, sains bahan memainkan peranan yang penting. Antaranya, seramik silikon karbida,...Baca lagi -
Kaedah penyediaan bahagian grafit bersalut TaC biasa
BAHAGIAN/1 Kaedah CVD (Pemendapan Wap Kimia): Pada 900-2300℃, menggunakan TaCl5 dan CnHm sebagai sumber tantalum dan karbon, H₂ sebagai atmosfera penurun, gas pembawa Ar₂as, filem pemendapan tindak balas. Salutan yang disediakan adalah padat, seragam dan ketulenan tinggi. Walau bagaimanapun, terdapat beberapa pro...Baca lagi -
Penggunaan bahagian grafit bersalut TaC
BAHAGIAN/1 Crucible, pemegang benih dan cincin panduan dalam relau kristal tunggal SiC dan AIN telah ditanam dengan kaedah PVT Seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 2 [1], apabila kaedah pengangkutan wap fizikal (PVT) digunakan untuk menyediakan SiC, kristal benih berada dalam kawasan suhu yang agak rendah, SiC r...Baca lagi