【 Penerangan ringkasan 】 Dalam C, N, B moden dan bahan mentah refraktori berteknologi tinggi bukan oksida lain, tekanan atmosfera disintersilikon karbidaadalah luas dan menjimatkan, dan boleh dikatakan sebagai pasir ampelas atau refraktori. tulensilikon karbidaadalah kristal lutsinar tidak berwarna. Jadi apakah struktur dan ciri bahansilikon karbida?
Struktur bahan tekanan atmosfera disintersilikon karbida:
Tekanan atmosfera tersintersilikon karbidadigunakan dalam industri adalah kuning muda, hijau, biru dan hitam mengikut jenis dan kandungan kekotoran, dan ketulenannya berbeza dan ketelusannya berbeza. Struktur kristal karbida silikon dibahagikan kepada plutonium berbentuk enam perkataan atau berlian dan plutonium-sic padu. Plutonium-sic membentuk pelbagai ubah bentuk kerana susunan susunan atom karbon dan silikon yang berbeza dalam struktur kristal, dan lebih daripada 70 jenis ubah bentuk telah ditemui. beta-SIC bertukar kepada alpha-SIC melebihi 2100. Proses perindustrian silikon karbida ditapis dengan pasir kuarza berkualiti tinggi dan kok petroleum dalam relau rintangan. Blok karbida silikon yang ditapis dihancurkan, pembersihan asid-bes, pengasingan magnet, penapisan atau pemilihan air untuk menghasilkan pelbagai produk saiz zarah.
Ciri-ciri bahan tekanan atmosferasilikon karbida tersinter:
Silikon karbida mempunyai kestabilan kimia yang baik, kekonduksian terma, pekali pengembangan haba, rintangan haus, jadi sebagai tambahan kepada penggunaan kasar, terdapat banyak kegunaan: Sebagai contoh, serbuk silikon karbida disalut pada dinding dalaman pendesak turbin atau blok silinder dengan satu proses khas, yang boleh meningkatkan rintangan haus dan memanjangkan hayat 1 hingga 2 kali. Diperbuat daripada tahan haba, saiz kecil, ringan, kekuatan tinggi bahan refraktori gred tinggi, kecekapan tenaga adalah sangat baik. Silikon karbida gred rendah (termasuk kira-kira 85% SiC) ialah penyahoksida yang sangat baik untuk meningkatkan kelajuan pembuatan keluli dan mengawal komposisi kimia dengan mudah untuk meningkatkan kualiti keluli. Di samping itu, karbida silikon tersinter tekanan atmosfera juga digunakan secara meluas dalam pembuatan bahagian elektrik rod karbon silikon.
Silikon karbida sangat keras. Kekerasan morse ialah 9.5, kedua selepas berlian keras dunia (10), adalah semikonduktor dengan kekonduksian terma yang sangat baik, boleh menahan pengoksidaan pada suhu tinggi. Silikon karbida mempunyai sekurang-kurangnya 70 jenis kristal. Plutonium-silikon karbida ialah isomer biasa yang terbentuk pada suhu melebihi 2000 dan mempunyai struktur kristal heksagon (serupa dengan wurtzite). Silikon karbida tersinter di bawah tekanan atmosfera
Pemakaiansilikon karbidadalam industri semikonduktor
Rantaian industri semikonduktor silikon karbida termasuk serbuk ketulenan tinggi silikon karbida, substrat kristal tunggal, kepingan epitaxial, komponen kuasa, pembungkusan modul dan aplikasi terminal.
1. Substrat kristal tunggal Substrat kristal tunggal ialah bahan sokongan semikonduktor, bahan konduktif dan substrat pertumbuhan epitaxial. Pada masa ini, kaedah pertumbuhan kristal tunggal SiC termasuk kaedah pemindahan wap fizikal (kaedah PVT), kaedah fasa cecair (kaedah LPE), dan kaedah pemendapan wap kimia suhu tinggi (kaedah HTCVD). Silikon karbida tersinter di bawah tekanan atmosfera
2. Lembaran epitaxial Lembaran epitaxial silikon karbida, lembaran silikon karbida, filem kristal tunggal (lapisan epitaxial) dengan arah yang sama dengan kristal substrat yang mempunyai keperluan tertentu untuk substrat silikon karbida. Dalam aplikasi praktikal, peranti semikonduktor jurang jalur lebar hampir semuanya dihasilkan dalam lapisan epitaxial, dan cip silikon itu sendiri hanya digunakan sebagai substrat, termasuk substrat lapisan epitaxial GaN.
3. Serbuk silikon karbida ketulenan tinggi Serbuk karbida silikon ketulenan tinggi ialah bahan mentah untuk pertumbuhan kristal tunggal silikon karbida melalui kaedah PVT, dan ketulenan produk secara langsung mempengaruhi kualiti pertumbuhan dan ciri elektrik kristal tunggal silikon karbida.
4. Peranti kuasa adalah kuasa jalur lebar yang diperbuat daripada bahan silikon karbida, yang mempunyai ciri-ciri suhu tinggi, frekuensi tinggi dan kecekapan tinggi. Mengikut bentuk pengendalian peranti, peranti bekalan kuasa SiC terutamanya termasuk diod kuasa dan tiub suis kuasa.
5. Terminal Dalam aplikasi semikonduktor generasi ketiga, semikonduktor silikon karbida mempunyai kelebihan sebagai pelengkap kepada semikonduktor galium nitrida. Oleh kerana kecekapan penukaran yang tinggi, ciri pemanasan rendah, ringan dan kelebihan lain peranti SiC, permintaan industri hiliran terus meningkat, dan terdapat trend untuk menggantikan peranti SiO2.
Masa siaran: 16-Okt-2023