Cakera epitaxial silikon monohablur semikonduktor bersalut SiC

Semikonduktor SiC bersalut cakera epitaxial silikon monohabluran Imej Pilihan

Penerangan Ringkas:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ialah pembekal terkemuka yang mengkhusus dalam wafer dan bahan guna semikonduktor termaju.Kami berdedikasi untuk menyediakan produk berkualiti tinggi, boleh dipercayai dan inovatif kepada pembuatan semikonduktor,industri fotovoltaikdan bidang lain yang berkaitan.

Barisan produk kami termasuk produk grafit bersalut SiC/TaC dan produk seramik, merangkumi pelbagai bahan seperti silikon karbida, silikon nitrida, dan aluminium oksida dan lain-lain.

Sebagai pembekal yang dipercayai, kami memahami kepentingan bahan habis pakai dalam proses pembuatan, dan kami komited untuk menyampaikan produk yang memenuhi standard kualiti tertinggi untuk memenuhi keperluan pelanggan kami.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Penerangan

Syarikat kami menyediakanSalutan SiCperkhidmatan proses melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentukLapisan pelindung SIC.

Lembaran epitaxial silikon monokristalin

Ciri-ciri utama

1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:
rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.
2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (CTE)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300