Kelebihan
Rintangan pengoksidaan suhu tinggi
Rintangan kakisan yang sangat baik
Rintangan lelasan yang baik
Pekali kekonduksian haba yang tinggi
Pelinciran sendiri, ketumpatan rendah
Kekerasan yang tinggi
Reka bentuk tersuai.
![HGF (2)](http://cdn.globalso.com/semi-cera/HGF-21.png)
![HGF (1)](http://cdn.globalso.com/semi-cera/HGF-1.png)
Aplikasi
-Bidang tahan haus: sesendal, plat, muncung letupan pasir, lapisan siklon, tong pengisaran, dan lain-lain...
-Bidang Suhu Tinggi: Papak siC, Tiub Relau Pelindapkejutan, Tiub Sinaran, Pisau, Elemen Pemanas, Penggelek, Rasuk, Penukar Haba, Paip Udara Sejuk, Muncung Pembakar, Tiub Perlindungan Termokopel, Bot SiC, Struktur kereta tanur, Setter, dsb.
-Silicon Carbide Semiconductor: Bot wafer SiC, sic chuck, sic paddle, sic cassette, sic diffusion tube, wafer fork, sedutan plat, guideway, dsb.
-Silicon Carbide Seal Field: semua jenis cincin pengedap, galas, sesendal, dll.
- Medan Fotovoltaik: Kayuh julur, Tong Pengisar, Penggelek Silicon Carbide, dll.
-Medan Bateri Litium
Sifat Fizikal SiC
Harta benda | Nilai | Kaedah |
Ketumpatan | 3.21 g/cc | Sink-terapung dan dimensi |
Haba tertentu | 0.66 J/g °K | Denyar laser berdenyut |
Kekuatan lenturan | 450 MPa560 MPa | Selekoh 4 mata, selekoh titik RT4, 1300° |
Keliatan patah | 2.94 MPa m1/2 | Microindentation |
Kekerasan | 2800 | Vicker's, muatan 500g |
Modulus Elastik Modulus Muda | 450 GPa430 GPa | Selekoh 4 pt, selekoh RT4 pt, 1300 °C |
Saiz bijirin | 2 – 10 µm | SEM |
Sifat Terma SiC
Kekonduksian terma | 250 W/m °K | Kaedah kilat laser, RT |
Pengembangan Terma (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | Suhu bilik hingga 950 °C, dilatometer silika |
Parameter teknikal
item | Unit | Data | ||||
RBSiC(SiSiC) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
kandungan SiC | % | 85 | 75 | 99 | 99.9 | ≥99 |
Kandungan silikon percuma | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Suhu perkhidmatan maksimum | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
Ketumpatan | g/cm3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
Keliangan terbuka | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
Kekuatan lenturan 20 ℃ | Мpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
Kekuatan lenturan 1200 ℃ | Мpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
Modulus keanjalan 20 ℃ | Gpa | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
Modulus keanjalan 1200 ℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 | / |
Kekonduksian terma 1200 ℃ | W/mK | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
Pekali pengembangan haba | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
HV | Kg/mm2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
Salutan silikon karbida CVD pada permukaan luar produk seramik silikon karbida terhablur semula boleh mencapai ketulenan lebih daripada 99.9999% untuk memenuhi keperluan pelanggan dalam industri semikonduktor.
![Tempat kerja Semicera](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Work-place1.jpg)
![Tempat kerja Semicera 2](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-work-place-21.jpg)
![Mesin peralatan](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine1.jpg)
![Pemprosesan CNN, pembersihan kimia, salutan CVD](http://www.semi-cera.com/uploads/CNN-processing-chemical-cleaning-CVD-coating1.jpg)
![Perkhidmatan kami](http://www.semi-cera.com/uploads/Our-service2.jpg)
-
Penghantaran Pantas untuk Menjual Elemen Pemanas Sic
-
2019 Kualiti Baik Harga Kilang Custom Industri...
-
Harga Borong China Tahan Panas Karbon Ro...
-
Penggelek Karbon Rintangan Haba berkualiti baik...
-
Harga yang disebut untuk Silicon Carbide Sic Graphite C...
-
Grafit Lembut Profesional Cina Dirasai untuk Hea...