Pada masa ini, kaedah penyediaan salutan SiC terutamanya termasuk kaedah gel-sol, kaedah benam, kaedah salutan berus, kaedah semburan plasma, kaedah tindak balas gas kimia (CVR) dan kaedah pemendapan wap kimia (CVD).
Kaedah benam:
Kaedah ini adalah sejenis pensinteran fasa pepejal suhu tinggi, yang terutamanya menggunakan campuran serbuk Si dan serbuk C sebagai serbuk embedding, matriks grafit diletakkan di dalam serbuk embedding, dan pensinteran suhu tinggi dijalankan dalam gas lengai. , dan akhirnya salutan SiC diperoleh pada permukaan matriks grafit.Prosesnya mudah dan gabungan antara salutan dan substrat adalah baik, tetapi keseragaman salutan sepanjang arah ketebalan adalah buruk, yang mudah menghasilkan lebih banyak lubang dan membawa kepada rintangan pengoksidaan yang lemah.
Kaedah salutan berus:
Kaedah salutan berus adalah terutamanya untuk menyikat bahan mentah cecair pada permukaan matriks grafit, dan kemudian menyembuhkan bahan mentah pada suhu tertentu untuk menyediakan salutan.Prosesnya mudah dan kosnya rendah, tetapi salutan yang disediakan dengan kaedah salutan berus lemah dalam kombinasi dengan substrat, keseragaman salutan adalah lemah, salutan nipis dan rintangan pengoksidaan adalah rendah, dan kaedah lain diperlukan untuk membantu. ia.
Kaedah penyemburan plasma:
Kaedah penyemburan plasma adalah terutamanya untuk menyembur bahan mentah cair atau separa cair pada permukaan matriks grafit dengan pistol plasma, dan kemudian memejal dan mengikat untuk membentuk salutan.Kaedah ini mudah dikendalikan dan boleh menyediakan salutan silikon karbida yang agak padat, tetapi salutan silikon karbida yang disediakan oleh kaedah ini selalunya terlalu lemah dan membawa kepada rintangan pengoksidaan yang lemah, jadi ia biasanya digunakan untuk penyediaan salutan komposit SiC untuk memperbaiki. kualiti salutan.
Kaedah gel-sol:
Kaedah gel-sol adalah terutamanya untuk menyediakan penyelesaian sol yang seragam dan telus meliputi permukaan matriks, pengeringan menjadi gel dan kemudian pensinteran untuk mendapatkan salutan.Kaedah ini mudah dikendalikan dan kos rendah, tetapi salutan yang dihasilkan mempunyai beberapa kekurangan seperti rintangan kejutan haba yang rendah dan mudah retak, jadi ia tidak boleh digunakan secara meluas.
Tindak balas Gas Kimia (CVR):
CVR terutamanya menjana salutan SiC dengan menggunakan serbuk Si dan SiO2 untuk menghasilkan stim SiO pada suhu tinggi, dan satu siri tindak balas kimia berlaku pada permukaan substrat bahan C.Salutan SiC yang disediakan oleh kaedah ini terikat rapat dengan substrat, tetapi suhu tindak balas lebih tinggi dan kosnya lebih tinggi.
Pemendapan Wap Kimia (CVD) :
Pada masa ini, CVD adalah teknologi utama untuk menyediakan salutan SiC pada permukaan substrat.Proses utama ialah satu siri tindak balas fizikal dan kimia bahan tindak balas fasa gas pada permukaan substrat, dan akhirnya salutan SiC disediakan melalui pemendapan pada permukaan substrat.Salutan SiC yang disediakan oleh teknologi CVD terikat rapat dengan permukaan substrat, yang boleh meningkatkan rintangan pengoksidaan dan rintangan ablatif bahan substrat secara berkesan, tetapi masa pemendapan kaedah ini lebih lama, dan gas tindak balas mempunyai toksik tertentu. gas.
Masa siaran: Nov-06-2023