Sebagai salah satu komponen terasperalatan MOCVD, asas grafit adalah pembawa dan badan pemanasan substrat, yang secara langsung menentukan keseragaman dan ketulenan bahan filem, jadi kualitinya secara langsung mempengaruhi penyediaan lembaran epitaxial, dan pada masa yang sama, dengan peningkatan bilangan kegunaan dan perubahan keadaan kerja, ia sangat mudah dipakai, kepunyaan bahan habis pakai.
Walaupun grafit mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik dan kestabilan, ia mempunyai kelebihan yang baik sebagai komponen asasperalatan MOCVD, tetapi dalam proses pengeluaran, grafit akan menghakis serbuk kerana sisa gas menghakis dan organik logam, dan hayat perkhidmatan asas grafit akan dikurangkan dengan banyak.Pada masa yang sama, serbuk grafit yang jatuh akan menyebabkan pencemaran kepada cip.
Kemunculan teknologi salutan boleh menyediakan penetapan serbuk permukaan, meningkatkan kekonduksian terma, dan menyamakan pengagihan haba, yang telah menjadi teknologi utama untuk menyelesaikan masalah ini.Pangkalan grafit dalamperalatan MOCVDpersekitaran penggunaan, salutan permukaan asas grafit harus memenuhi ciri-ciri berikut:
(1) Pangkalan grafit boleh dibalut sepenuhnya, dan ketumpatannya baik, jika tidak, asas grafit mudah terhakis dalam gas menghakis.
(2) Kekuatan gabungan dengan asas grafit adalah tinggi untuk memastikan salutan tidak mudah jatuh selepas beberapa kitaran suhu tinggi dan suhu rendah.
(3) Ia mempunyai kestabilan kimia yang baik untuk mengelakkan kegagalan salutan dalam suhu tinggi dan suasana menghakis.
SiC mempunyai kelebihan rintangan kakisan, kekonduksian haba yang tinggi, rintangan kejutan haba dan kestabilan kimia yang tinggi, dan boleh berfungsi dengan baik dalam suasana epitaxial GaN.Di samping itu, pekali pengembangan haba SiC berbeza sangat sedikit daripada grafit, jadi SiC ialah bahan pilihan untuk salutan permukaan asas grafit.
Pada masa ini, SiC biasa adalah terutamanya jenis 3C, 4H dan 6H, dan penggunaan SiC bagi jenis kristal yang berbeza adalah berbeza.Sebagai contoh, 4H-SiC boleh mengeluarkan peranti berkuasa tinggi;6H-SiC adalah yang paling stabil dan boleh mengeluarkan peranti fotoelektrik;Kerana strukturnya yang serupa dengan GaN, 3C-SiC boleh digunakan untuk menghasilkan lapisan epitaxial GaN dan mengeluarkan peranti RF SiC-GaN.3C-SiC juga dikenali sebagaiβ-SiC, dan penggunaan pentingβ-SiC adalah sebagai filem dan bahan salutan, jadiβ-SiC kini merupakan bahan utama untuk salutan.
Masa siaran: Nov-06-2023