Jongkong SiC jenis 4", 6", dan 8" Semicera mewakili satu kejayaan dalam bahan semikonduktor, direka untuk memenuhi permintaan yang semakin meningkat bagi sistem elektronik dan kuasa moden. Jongkong ini menyediakan asas yang teguh dan stabil untuk pelbagai aplikasi semikonduktor, memastikan optimum prestasi dan umur panjang.
Jongkong SiC jenis N kami dihasilkan menggunakan proses pembuatan termaju yang meningkatkan kekonduksian elektrik dan kestabilan termanya. Ini menjadikan ia sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi, seperti penyongsang, transistor dan peranti elektronik kuasa lain yang kecekapan dan kebolehpercayaan adalah yang terpenting.
Doping yang tepat bagi jongkong ini memastikan ia menawarkan prestasi yang konsisten dan boleh diulang. Konsistensi ini penting untuk pembangun dan pengilang yang menolak sempadan teknologi dalam bidang seperti aeroangkasa, automotif dan telekomunikasi. Jongkong SiC Semicera membolehkan pengeluaran peranti yang beroperasi dengan cekap dalam keadaan yang melampau.
Memilih Jongkong SiC jenis N Semicera bermakna menyepadukan bahan yang boleh mengendalikan suhu tinggi dan beban elektrik yang tinggi dengan mudah. Jongkong ini amat sesuai untuk mencipta komponen yang memerlukan pengurusan haba yang sangat baik dan operasi frekuensi tinggi, seperti penguat RF dan modul kuasa.
Dengan memilih Jongkong SiC jenis 4", 6", dan 8" Semicera, anda melabur dalam produk yang menggabungkan sifat bahan yang luar biasa dengan ketepatan dan kebolehpercayaan yang dituntut oleh teknologi semikonduktor termaju. Semicera terus menerajui industri dengan menyediakan penyelesaian inovatif yang memacu kemajuan pembuatan peranti elektronik.
| barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
| Parameter Kristal | |||
| Politaip | 4H | ||
| Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Elektrik | |||
| Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
| Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanikal | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 μm | ||
| Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
| Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
| Flat sekunder | tiada | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualiti Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
| Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
| calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
| Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
| Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
| Penandaan laser hadapan | tiada | ||
| Kualiti Belakang | |||
| Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
| calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
| Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepi | |||
| Tepi | Chamfer | ||
| Pembungkusan | |||
| Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
| *Nota： "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak disebut boleh merujuk kepada SEMI-STD. | |||
