Substrat SiC Separa Penebat 4" 6" Semicera ialah bahan berkualiti tinggi yang direka untuk memenuhi keperluan ketat aplikasi peranti RF dan kuasa. Substrat itu menggabungkan kekonduksian terma yang sangat baik dan voltan pecahan tinggi silikon karbida dengan sifat separa penebat, menjadikannya pilihan ideal untuk membangunkan peranti semikonduktor termaju.
Substrat SiC Separa Penebat 4" 6" dihasilkan dengan teliti untuk memastikan bahan ketulenan tinggi dan prestasi separa penebat yang konsisten. Ini memastikan bahawa substrat menyediakan pengasingan elektrik yang diperlukan dalam peranti RF seperti penguat dan transistor, di samping menyediakan kecekapan terma yang diperlukan untuk aplikasi berkuasa tinggi. Hasilnya ialah substrat serba boleh yang boleh digunakan dalam pelbagai produk elektronik berprestasi tinggi.
Semicera mengiktiraf kepentingan menyediakan substrat yang boleh dipercayai dan bebas kecacatan untuk aplikasi semikonduktor kritikal. Substrat SiC Separa Penebat 4" 6" kami dihasilkan menggunakan teknik pembuatan termaju yang meminimumkan kecacatan kristal dan meningkatkan keseragaman bahan. Ini membolehkan produk menyokong pembuatan peranti dengan prestasi, kestabilan dan seumur hidup yang dipertingkatkan.
Komitmen Semicera terhadap kualiti memastikan Substrat SiC Separa Penebat 4" 6" kami memberikan prestasi yang boleh dipercayai dan konsisten merentas pelbagai aplikasi. Sama ada anda sedang membangunkan peranti frekuensi tinggi atau penyelesaian kuasa cekap tenaga, substrat SiC separa penebat kami menyediakan asas untuk kejayaan elektronik generasi akan datang.
Parameter asas
| Saiz | 6 inci | 4 inci |
| Diameter | 150.0mm+0mm/-0.2mm | 100.0mm+0mm/-0.5mm |
| Orientasi Permukaan | {0001}±0.2° | |
| Orientasi Rata Utama | / | <1120>±5° |
| Orientasi Rata Menengah | / | Silikon menghadap ke atas:90° CW dari Prime flat士5° |
| Panjang Rata Utama | / | 32.5 mm 士2.0 mm |
| Panjang Rata Sekunder | / | 18.0 mm士2.0 mm |
| Orientasi Takik | <1100>±1.0° | / |
| Orientasi Takik | 1.0mm+0.25 mm/-0.00 mm | / |
| Sudut Takik | 90°+5°/-1° | / |
| Ketebalan | 500.0um士25.0um | |
| Jenis Konduktif | Separa penebat | |
Maklumat kualiti kristal
| ltem | 6 inci | 4 inci |
| Kerintangan | ≥1E9Q·cm | |
| Politaip | Tiada yang dibenarkan | |
| Ketumpatan Mikropaip | ≤0.5/cm2 | ≤0.3/cm2 |
| Plat Hex oleh cahaya keamatan tinggi | Tiada yang dibenarkan | |
| Kemasukan Karbon Visual dengan tinggi | Luas kumulatif≤0.05% | |
Kerintangan－Diuji oleh rintangan helaian bukan sentuhan.
Ketumpatan Mikropaip
