Substrat Wafer Digilap Separa Penebat Ketulenan Tinggi (HPSI) 4 Inci Semicera Dwisisi direka untuk memenuhi permintaan industri semikonduktor yang tepat. Substrat ini direka bentuk dengan kerataan dan ketulenan yang luar biasa, menawarkan platform optimum untuk peranti elektronik termaju.
Wafer SiC HPSI ini dibezakan oleh kekonduksian terma yang unggul dan sifat penebat elektrik, menjadikannya pilihan terbaik untuk aplikasi frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi. Proses penggilap dua sisi memastikan kekasaran permukaan yang minimum, yang penting untuk meningkatkan prestasi peranti dan umur panjang.
Ketulenan tinggi wafer SiC Semicera meminimumkan kecacatan dan kekotoran, membawa kepada kadar hasil yang lebih tinggi dan kebolehpercayaan peranti. Substrat ini sesuai untuk pelbagai aplikasi, termasuk peranti gelombang mikro, elektronik kuasa dan teknologi LED, yang memerlukan ketepatan dan ketahanan.
Dengan tumpuan kepada inovasi dan kualiti, Semicera menggunakan teknik pembuatan termaju untuk menghasilkan wafer yang memenuhi keperluan ketat elektronik moden. Penggilapan dua muka bukan sahaja meningkatkan kekuatan mekanikal tetapi juga memudahkan penyepaduan yang lebih baik dengan bahan semikonduktor lain.
Dengan memilih Substrat Wafer Digilap Separuh Penebat Ketulenan Tinggi 4 Inci Semicera SiC Dwisisi, pengilang boleh memanfaatkan faedah pengurusan haba dan penebat elektrik yang dipertingkatkan, membuka jalan bagi pembangunan peranti elektronik yang lebih cekap dan berkuasa. Semicera terus menerajui industri dengan komitmennya terhadap kualiti dan kemajuan teknologi.
| barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
| Parameter Kristal | |||
| Politaip | 4H | ||
| Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Elektrik | |||
| Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
| Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanikal | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 μm | ||
| Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
| Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
| Flat sekunder | tiada | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualiti Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
| Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
| calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
| Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
| Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
| Penandaan laser hadapan | tiada | ||
| Kualiti Belakang | |||
| Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
| calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
| Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepi | |||
| Tepi | Chamfer | ||
| Pembungkusan | |||
| Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
| *Nota： "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak dinyatakan boleh merujuk kepada SEMI-STD. | |||
