Jongkong SiC Separa Penebat Ketulenan Tinggi 4”6” Semicera direka untuk memenuhi piawaian industri semikonduktor yang tepat. Jongkong ini dihasilkan dengan fokus pada ketulenan dan konsistensi, menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi di mana prestasi diutamakan.
Sifat unik jongkong SiC ini, termasuk kekonduksian terma yang tinggi dan kerintangan elektrik yang sangat baik, menjadikannya sangat sesuai untuk digunakan dalam elektronik kuasa dan peranti gelombang mikro. Sifat separa penebatnya membolehkan pelesapan haba yang berkesan dan gangguan elektrik yang minimum, yang membawa kepada komponen yang lebih cekap dan boleh dipercayai.
Semicera menggunakan proses pembuatan terkini untuk menghasilkan jongkong dengan kualiti kristal yang luar biasa dan keseragaman. Ketepatan ini memastikan bahawa setiap jongkong boleh digunakan dengan pasti dalam aplikasi sensitif, seperti penguat frekuensi tinggi, diod laser dan peranti optoelektronik lain.
Tersedia dalam kedua-dua saiz 4-inci dan 6-inci, jongkong SiC Semicera memberikan fleksibiliti yang diperlukan untuk pelbagai skala pengeluaran dan keperluan teknologi. Sama ada untuk penyelidikan dan pembangunan atau pengeluaran besar-besaran, jongkong ini memberikan prestasi dan ketahanan yang diperlukan oleh sistem elektronik moden.
Dengan memilih Jongkong SiC Semi-Penebat Ketulenan Tinggi Semicera, anda melabur dalam produk yang menggabungkan sains bahan termaju dengan kepakaran pembuatan yang tiada tandingan. Semicera berdedikasi untuk menyokong inovasi dan pertumbuhan industri semikonduktor, menawarkan bahan yang membolehkan pembangunan peranti elektronik termaju.
| barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
| Parameter Kristal | |||
| Politaip | 4H | ||
| Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Elektrik | |||
| Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
| Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanikal | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 μm | ||
| Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
| Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
| Flat sekunder | tiada | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualiti Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
| Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
| calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
| Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
| Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
| Penandaan laser hadapan | tiada | ||
| Kualiti Belakang | |||
| Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
| calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
| Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepi | |||
| Tepi | Chamfer | ||
| Pembungkusan | |||
| Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
| *Nota： "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak dinyatakan boleh merujuk kepada SEMI-STD. | |||
