Wafer Ikatan LiNbO3 6 inci

Penerangan ringkas:

Wafer terikat LiNbO3 6-inci Semicera sesuai untuk proses ikatan lanjutan dalam peranti optoelektronik, MEMS dan litar bersepadu (IC). Dengan ciri ikatannya yang unggul, ia sesuai untuk mencapai penjajaran dan penyepaduan lapisan yang tepat, memastikan prestasi dan kecekapan peranti semikonduktor. Ketulenan tinggi wafer meminimumkan pencemaran, menjadikannya pilihan yang boleh dipercayai untuk aplikasi yang memerlukan ketepatan tertinggi.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Wafer Ikatan LiNbO3 6-inci Semicera direka bentuk untuk memenuhi piawaian ketat industri semikonduktor, memberikan prestasi yang tiada tandingan dalam persekitaran penyelidikan dan pengeluaran. Sama ada untuk optoelektronik, MEMS atau pembungkusan semikonduktor termaju, wafer ikatan ini menawarkan kebolehpercayaan dan ketahanan yang diperlukan untuk pembangunan teknologi termaju.

Dalam industri semikonduktor, Wafer Ikatan LiNbO3 6-inci digunakan secara meluas untuk mengikat lapisan nipis dalam peranti optoelektronik, penderia dan sistem mikroelektromekanikal (MEMS). Sifat luar biasa menjadikannya komponen berharga untuk aplikasi yang memerlukan penyepaduan lapisan yang tepat, seperti dalam fabrikasi litar bersepadu (IC) dan peranti fotonik. Ketulenan tinggi wafer memastikan produk akhir mengekalkan prestasi optimum, meminimumkan risiko pencemaran yang boleh menjejaskan kebolehpercayaan peranti.

Sifat haba dan elektrik LiNbO3
Takat lebur	1250 ℃
Suhu kari	1140 ℃
Kekonduksian terma	38 W/m/K @ 25 ℃
Pekali pengembangan haba (@ 25°C)	//a，2.0×10^-6/K //c，2.2×10^-6/K
Kerintangan	2×10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Pemalar dielektrik	εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2
Pemalar piezoelektrik	D₂₂=2.04×10^-11C/N D₃₃=19.22×10^-11C/N
Pekali elektro-optik	γT₃₃=32 ptg/V， γS₃₃=31 petang/V， γT₃₁=10 malam/V， γS₃₁=8.6 malam/V， γT₂₂=6.8 ptg/V， γS₂₂=3.4 petang/V，
Voltan separuh gelombang, DC Medan elektrik // z, cahaya ⊥ Z; Medan elektrik // x atau y, cahaya ⊥ z	3.03 KV 4.02 KV

Wafer Ikatan LiNbO3 6-inci daripada Semicera direka khusus untuk aplikasi lanjutan dalam industri semikonduktor dan optoelektronik. Terkenal dengan rintangan haus yang unggul, kestabilan haba yang tinggi dan ketulenan yang luar biasa, wafer ikatan ini sesuai untuk pembuatan semikonduktor berprestasi tinggi, menawarkan kebolehpercayaan dan ketepatan yang tahan lama walaupun dalam keadaan yang mencabar.

Dicipta dengan teknologi canggih, Wafer Ikatan LiNbO3 6-inci memastikan pencemaran minimum, yang penting untuk proses pengeluaran semikonduktor yang memerlukan tahap ketulenan yang tinggi. Kestabilan terma yang sangat baik membolehkannya menahan suhu tinggi tanpa menjejaskan integriti struktur, menjadikannya pilihan yang boleh dipercayai untuk aplikasi ikatan suhu tinggi. Selain itu, rintangan haus yang luar biasa wafer memastikan ia berfungsi secara konsisten dalam penggunaan lanjutan, memberikan ketahanan jangka panjang dan mengurangkan keperluan untuk penggantian yang kerap.