Wafer SiC HPSI Separuh Penebat 6 inci

Penerangan ringkas:

Wafer SiC HPSI Separuh Penebat 6 Inch Semicera direka bentuk untuk kecekapan dan kebolehpercayaan maksimum dalam elektronik berprestasi tinggi. Wafer ini mempunyai ciri terma dan elektrik yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi, termasuk peranti kuasa dan elektronik frekuensi tinggi. Pilih Semicera untuk kualiti dan inovasi yang unggul.


Butiran Produk

Tag Produk

Wafer SiC HPSI Separuh Penebat 6 Inci Semicera direka untuk memenuhi permintaan ketat teknologi semikonduktor moden. Dengan ketulenan dan ketekalan yang luar biasa, wafer ini berfungsi sebagai asas yang boleh dipercayai untuk membangunkan komponen elektronik berkecekapan tinggi.

Wafer SiC HPSI ini terkenal dengan kekonduksian haba dan penebat elektrik yang luar biasa, yang penting untuk mengoptimumkan prestasi peranti kuasa dan litar frekuensi tinggi. Sifat separa penebat membantu dalam meminimumkan gangguan elektrik dan memaksimumkan kecekapan peranti.

Proses pembuatan berkualiti tinggi yang digunakan oleh Semicera memastikan setiap wafer mempunyai ketebalan seragam dan kecacatan permukaan yang minimum. Ketepatan ini penting untuk aplikasi lanjutan seperti peranti frekuensi radio, penyongsang kuasa dan sistem LED, di mana prestasi dan ketahanan adalah faktor utama.

Dengan memanfaatkan teknik pengeluaran terkini, Semicera menyediakan wafer yang bukan sahaja memenuhi tetapi melebihi piawaian industri. Saiz 6-inci menawarkan fleksibiliti dalam meningkatkan pengeluaran, memenuhi kedua-dua aplikasi penyelidikan dan komersil dalam sektor semikonduktor.

Memilih Wafer SiC HPSI Separuh Penebat 6 Inci Semicera bermakna melabur dalam produk yang memberikan kualiti dan prestasi yang konsisten. Wafer ini adalah sebahagian daripada komitmen Semicera untuk memajukan keupayaan teknologi semikonduktor melalui bahan inovatif dan ketukangan yang teliti.

barang

Pengeluaran

Penyelidikan

Dummy

Parameter Kristal

Politaip

4H

Ralat orientasi permukaan

<11-20 >4±0.15°

Parameter Elektrik

Dopan

Nitrogen jenis-n

Kerintangan

0.015-0.025ohm·cm

Parameter Mekanikal

Diameter

150.0±0.2mm

Ketebalan

350±25 μm

Orientasi rata utama

[1-100]±5°

Panjang rata utama

47.5±1.5mm

Flat sekunder

tiada

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Tunduk

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

meledingkan

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktur

Ketumpatan mikropaip

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kekotoran logam

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Kualiti Depan

Depan

Si

Kemasan permukaan

CMP muka Si

Zarah

≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm)

NA

calar

≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter

Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran

tiada

NA

Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex

tiada

Kawasan politaip

tiada

Luas terkumpul≤20%

Luas terkumpul≤30%

Penandaan laser hadapan

tiada

Kualiti Belakang

Kemasan belakang

C-muka CMP

calar

≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Kecacatan belakang (cip tepi/inden)

tiada

Kekasaran belakang

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Penandaan laser belakang

1 mm (dari tepi atas)

Tepi

Tepi

Chamfer

Pembungkusan

Pembungkusan

Epi-sedia dengan pembungkusan vakum

Pembungkusan kaset berbilang wafer

*Nota: "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak disebut boleh merujuk kepada SEMI-STD.

tech_1_2_size
wafer SiC

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya: