Pemendapan lapisan atom (ALD) ialah teknologi pemendapan wap kimia yang menumbuhkan filem nipis lapisan demi lapisan dengan menyuntik dua atau lebih molekul prekursor secara bergilir-gilir. ALD mempunyai kelebihan kebolehkawalan dan keseragaman yang tinggi, dan boleh digunakan secara meluas dalam peranti semikonduktor, peranti optoelektronik, peranti storan tenaga dan bidang lain. Prinsip asas ALD termasuk penjerapan prekursor, tindak balas permukaan dan penyingkiran produk sampingan, dan bahan berbilang lapisan boleh dibentuk dengan mengulangi langkah ini dalam kitaran. ALD mempunyai ciri-ciri dan kelebihan kebolehkawalan yang tinggi, keseragaman, dan struktur tidak berliang, dan boleh digunakan untuk pemendapan pelbagai bahan substrat dan pelbagai bahan.
ALD mempunyai ciri dan kelebihan berikut:
1. Kebolehkawalan yang tinggi:Memandangkan ALD ialah proses pertumbuhan lapisan demi lapisan, ketebalan dan komposisi setiap lapisan bahan boleh dikawal dengan tepat.
2. Keseragaman:ALD boleh mendepositkan bahan secara seragam pada seluruh permukaan substrat, mengelakkan ketidaksamaan yang mungkin berlaku dalam teknologi pemendapan lain.
3. Struktur tidak berliang:Oleh kerana ALD dimendapkan dalam unit atom tunggal atau molekul tunggal, filem yang terhasil biasanya mempunyai struktur yang padat dan tidak berliang.
4. Prestasi liputan yang baik:ALD boleh merangkumi struktur nisbah aspek tinggi dengan berkesan, seperti tatasusunan nanopori, bahan keliangan tinggi, dsb.
5. Kebolehskalaan:ALD boleh digunakan untuk pelbagai bahan substrat, termasuk logam, semikonduktor, kaca, dll.
6. serba boleh:Dengan memilih molekul prekursor yang berbeza, pelbagai bahan yang berbeza boleh didepositkan dalam proses ALD, seperti oksida logam, sulfida, nitrida, dll.
