Dengan Semicera'sSubstrat InP dan CdTe, anda boleh mengharapkan kualiti unggul dan kejuruteraan ketepatan untuk memenuhi keperluan khusus proses pembuatan anda. Sama ada untuk aplikasi fotovoltaik atau peranti semikonduktor, substrat kami direka untuk memastikan prestasi optimum, ketahanan dan konsistensi. Sebagai pembekal yang dipercayai, Semicera komited untuk menyampaikan penyelesaian substrat berkualiti tinggi dan boleh disesuaikan yang memacu inovasi dalam sektor elektronik dan tenaga boleh diperbaharui.
Sifat Kristal dan Elektrik✽1
| taip | Dopan | EPD（cm–2）（Lihat di bawah A.） | DF（Bebas Kecacatan）kawasan（cm2, Lihat di bawah B.） | c/（c cm–3） | Mobilit（y cm2/vs） | Resistivit（y Ω・cm） |
| n | Sn | ≦5×104 ≦1×104 ≦5×103 | ────── | （0.5〜6）×1018 | ────── | ────── |
| n | S | ────── | ≧ 10（59.4%） ≧ 15（87%）.4 | （2〜10）×1018 | ────── | ────── |
| p | Zn | ────── | ≧ 10（59.4%） ≧ 15（87%）. | （3〜6）×1018 | ────── | ────── |
| SI | Fe | ≦5×104 ≦1×104 | ────── | ────── | ────── | ≧ 1×106 |
| n | tiada | ≦5×104 | ────── | ≦1×1016 | ≧ 4×103 | ────── |
✽1 Spesifikasi lain tersedia atas permintaan.
A.13 Mata Purata
1. Ketumpatan lubang goresan dislokasi diukur pada 13 mata.
2. Purata wajaran kawasan bagi ketumpatan terkehel dikira.
Pengukuran Kawasan B.DF (Dalam Kes Jaminan Kawasan)
1. Ketumpatan lubang goresan terkehel sebanyak 69 mata ditunjukkan sebagai kanan dikira.
2. DF ditakrifkan sebagai EPD kurang daripada 500cm–2
3. Luas DF maksimum yang diukur dengan kaedah ini ialah 17.25cm2
Spesifikasi Biasa Substrat Kristal Tunggal InP
1. Orientasi
Orientasi permukaan (100)±0.2º atau (100)±0.05º
Orientasi permukaan luar tersedia atas permintaan.
Orientasi rata OF : (011)±1º atau (011)±0.1º JIKA : (011)±2º
Cleaved OF tersedia atas permintaan.
2. Penandaan laser berdasarkan standard SEMI tersedia.
3. Pakej individu, serta pakej dalam gas N2 tersedia.
4. Etch-and-pack dalam gas N2 tersedia.
5. Wafer segi empat tepat boleh didapati.
Spesifikasi di atas adalah standard JX.
Jika spesifikasi lain diperlukan, sila tanya kami.
Orientasi
