Syarikat kami menyediakanSalutan SiCmemproses perkhidmatan pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain dengan kaedah CVD, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon boleh bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul Sic ketulenan tinggi, yang boleh dimendapkan pada permukaan bahan bersalut untuk membentukLapisan pelindung SiCuntuk jenis tong epitaksi hy pnotic.
Ciri-ciri utama:
1. Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
2. Rintangan haba yang unggul & keseragaman terma
3. Baiklahbersalut kristal SiCuntuk permukaan yang licin
4. Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Spesifikasi Utama bagiSalutan CVD-SIC
| Sifat SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fasa FCC β | |
| Ketumpatan | g/cm ³ | 3.21 |
| Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
| Saiz Bijirin | μm | 2~10 |
| Ketulenan Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasiti Haba | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuatan Felexural | MPa (RT 4 mata) | 415 |
| Modulus Muda | Gpa (4pt selekoh, 1300℃) | 430 |
| Pengembangan Terma (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Kekonduksian terma | (W/mK) | 300 |
-
Elemen Pemanasan Bersalut Silikon Karbida Berkualiti Tinggi...
-
Susceptor LED UV dalam bersalut SiC
-
Pemotongan bahan lanjutan, proc laser jet mikro...
-
Salutan tantalum karbida (TaC) berkualiti tinggi
-
Serbuk Karbida Silikon 6N untuk Pertumbuhan SiC PVT
-
Pembawa Wafer dengan Salutan Silicon Carbide (SiC).