Karbida Silikon Pukal CVD (SiC)
Gambaran keseluruhan:CVDkarbida silikon pukal (SiC)ialah bahan yang sangat dicari dalam peralatan etsa plasma, aplikasi pemprosesan terma pantas (RTP) dan proses pembuatan semikonduktor lain. Sifat mekanikal, kimia dan habanya yang luar biasa menjadikannya bahan yang ideal untuk aplikasi teknologi canggih yang memerlukan ketepatan dan ketahanan yang tinggi.
Aplikasi CVD Bulk SiC:SiC pukal adalah penting dalam industri semikonduktor, terutamanya dalam sistem etsa plasma, di mana komponen seperti gelang fokus, kepala pancuran mandian gas, gelang tepi dan plat mendapat manfaat daripada rintangan kakisan dan kekonduksian terma yang luar biasa SiC. Penggunaannya meluas keRTPsistem kerana keupayaan SiC untuk menahan turun naik suhu yang cepat tanpa degradasi yang ketara.
Selain peralatan etsa, CVDpukal SiCdigemari dalam relau resapan dan proses pertumbuhan kristal, di mana kestabilan haba yang tinggi dan rintangan kepada persekitaran kimia yang keras diperlukan. Atribut ini menjadikan SiC sebagai bahan pilihan untuk aplikasi permintaan tinggi yang melibatkan suhu tinggi dan gas menghakis, seperti yang mengandungi klorin dan fluorin.
Kelebihan Komponen SiC Pukal CVD:
•Ketumpatan Tinggi:Dengan ketumpatan 3.2 g/cm³,SiC pukal CVDkomponen sangat tahan haus dan kesan mekanikal.
•Kekonduksian Terma Unggul:Menawarkan kekonduksian terma 300 W/m·K, SiC pukal menguruskan haba dengan cekap, menjadikannya sesuai untuk komponen yang terdedah kepada kitaran haba yang melampau.
•Rintangan Kimia yang Luar Biasa:Kereaktifan rendah SiC dengan gas etsa, termasuk bahan kimia berasaskan klorin dan fluorin, memastikan hayat komponen yang berpanjangan.
•Rintangan boleh laras: SiC pukal CVDkerintangan boleh disesuaikan dalam julat 10⁻²–10⁴ Ω-cm, menjadikannya boleh disesuaikan dengan keperluan pembuatan etsa dan semikonduktor tertentu.
•Pekali Pengembangan Terma:Dengan pekali pengembangan haba 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), SiC pukal CVD menahan kejutan haba, mengekalkan kestabilan dimensi walaupun semasa kitaran pemanasan dan penyejukan yang pantas.
•Ketahanan dalam Plasma:Pendedahan kepada plasma dan gas reaktif tidak dapat dielakkan dalam proses semikonduktor, tetapiSiC pukal CVDmenawarkan ketahanan yang unggul terhadap kakisan dan degradasi, mengurangkan kekerapan penggantian dan kos penyelenggaraan keseluruhan.
Spesifikasi Teknikal:
•Diameter:Lebih daripada 305 mm
•Kerintangan:Boleh laras dalam 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Ketumpatan:3.2 g/cm³
•Kekonduksian Terma:300 W/m·K
•Pekali Pengembangan Terma:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Penyesuaian dan Fleksibiliti:PadaSemicera Semiconductor, kami memahami bahawa setiap aplikasi semikonduktor mungkin memerlukan spesifikasi yang berbeza. Itulah sebabnya komponen SiC pukal CVD kami boleh disesuaikan sepenuhnya, dengan kerintangan boleh laras dan dimensi yang disesuaikan untuk memenuhi keperluan peralatan anda. Sama ada anda mengoptimumkan sistem etsa plasma anda atau mencari komponen tahan lama dalam RTP atau proses resapan, SiC pukal CVD kami memberikan prestasi yang tiada tandingan.
