Syarikat kami menyediakanSalutan SiCmemproses perkhidmatan pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain dengan kaedah CVD, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon boleh bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul Sic ketulenan tinggi, yang boleh dimendapkan pada permukaan bahan bersalut untuk membentukLapisan pelindung SiCuntuk jenis tong epitaksi hy pnotic.
Ciri-ciri utama:
1. Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
2. Rintangan haba yang unggul & keseragaman terma
3. Baiklahbersalut kristal SiCuntuk permukaan yang licin
4. Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Spesifikasi Utama bagiSalutan CVD-SIC
| Sifat SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fasa FCC β | |
| Ketumpatan | g/cm ³ | 3.21 |
| Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
| Saiz Bijirin | μm | 2~10 |
| Ketulenan Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasiti Haba | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuatan Felexural | MPa (RT 4 mata) | 415 |
| Modulus Muda | Gpa (4pt selekoh, 1300℃) | 430 |
| Pengembangan Terma (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Kekonduksian terma | (W/mK) | 300 |
-
Pembawa Wafer 6” untuk Aixtron G5
-
Susceptors Grafit dengan Coatin Silicon Carbide...
-
Pembawa SiC untuk rawatan haba pemanasan pantas RTP/RTA...
-
Susceptor Grafit dengan Salutan Silikon Karbida...
-
Pemanas Grafit Bersalut SiC tahan lama untuk MOCVD ...
-
Bot Wafer Semikonduktor Silikon Karbida Tersuai...