Si Substrat

Penerangan ringkas:

Dengan ketepatan yang unggul dan ketulenan yang tinggi, Semicera's Si Substrate memastikan prestasi yang boleh dipercayai dan konsisten dalam aplikasi kritikal, termasuk pembuatan Epi-Wafer dan Gallium Oxide (Ga2O3). Direka bentuk untuk menyokong pengeluaran mikroelektronik termaju, substrat ini menawarkan keserasian dan kestabilan yang luar biasa, menjadikannya bahan penting untuk teknologi termaju dalam sektor telekomunikasi, automotif dan perindustrian.


Butiran Produk

Tag Produk

Substrat Si oleh Semicera ialah komponen penting dalam pengeluaran peranti semikonduktor berprestasi tinggi. Dicipta daripada Silikon (Si) ketulenan tinggi, substrat ini menawarkan keseragaman, kestabilan dan kekonduksian yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi lanjutan dalam industri semikonduktor. Sama ada digunakan dalam pengeluaran Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, atau SiN Substrate, Semicera Si Substrate memberikan kualiti yang konsisten dan prestasi unggul untuk memenuhi permintaan yang semakin meningkat bagi sains bahan dan elektronik moden.

Prestasi Tidak Ditandingi dengan Ketulenan dan Ketepatan Tinggi

Substrat Si Semicera dihasilkan menggunakan proses termaju yang memastikan ketulenan tinggi dan kawalan dimensi yang ketat. Substrat berfungsi sebagai asas untuk penghasilan pelbagai bahan berprestasi tinggi, termasuk Wafer Epi dan Wafer AlN. Ketepatan dan keseragaman Substrat Si menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk mencipta lapisan epitaxial filem nipis dan komponen kritikal lain yang digunakan dalam pengeluaran semikonduktor generasi akan datang. Sama ada anda bekerja dengan Gallium Oxide (Ga2O3) atau bahan termaju lain, Semicera's Si Substrat memastikan tahap kebolehpercayaan dan prestasi tertinggi.

Aplikasi dalam Pembuatan Semikonduktor

Dalam industri semikonduktor, Substrat Si daripada Semicera digunakan dalam pelbagai aplikasi, termasuk pengeluaran Si Wafer dan Substrat SiC, di mana ia menyediakan asas yang stabil dan boleh dipercayai untuk pemendapan lapisan aktif. Substrat memainkan peranan penting dalam menghasilkan Wafer SOI (Silicon On Insulator), yang penting untuk mikroelektronik termaju dan litar bersepadu. Tambahan pula, Epi-Wafer (wafer epitaxial) yang dibina di atas Substrat Si adalah penting dalam menghasilkan peranti semikonduktor berprestasi tinggi seperti transistor kuasa, diod dan litar bersepadu.

Substrat Si juga menyokong pembuatan peranti menggunakan Gallium Oxide (Ga2O3), bahan lebar jalur lebar yang menjanjikan digunakan untuk aplikasi berkuasa tinggi dalam elektronik kuasa. Selain itu, keserasian Substrat Si Semicera dengan Wafer AlN dan substrat termaju lain memastikan ia dapat memenuhi keperluan pelbagai industri berteknologi tinggi, menjadikannya penyelesaian ideal untuk pengeluaran peranti canggih dalam sektor telekomunikasi, automotif dan perindustrian. .

Kualiti Boleh Dipercayai dan Konsisten untuk Aplikasi Berteknologi Tinggi

Substrat Si oleh Semicera direka bentuk dengan teliti untuk memenuhi permintaan ketat fabrikasi semikonduktor. Integriti strukturnya yang luar biasa dan sifat permukaan berkualiti tinggi menjadikannya bahan yang ideal untuk digunakan dalam sistem kaset untuk pengangkutan wafer, serta untuk mencipta lapisan berketepatan tinggi dalam peranti semikonduktor. Keupayaan substrat untuk mengekalkan kualiti yang konsisten di bawah keadaan proses yang berbeza-beza memastikan kecacatan yang minimum, meningkatkan hasil dan prestasi produk akhir.

Dengan kekonduksian terma yang unggul, kekuatan mekanikal dan ketulenan yang tinggi, Semicera's Si Substrate ialah bahan pilihan bagi pengeluar yang ingin mencapai standard ketepatan, kebolehpercayaan dan prestasi tertinggi dalam pengeluaran semikonduktor.

Pilih Substrat Si Semicera untuk Penyelesaian Ketulenan Tinggi, Berprestasi Tinggi

Bagi pengeluar dalam industri semikonduktor, Substrat Si dari Semicera menawarkan penyelesaian berkualiti tinggi yang teguh untuk pelbagai aplikasi, daripada pengeluaran Si Wafer kepada penciptaan Epi-Wafers dan SOI Wafers. Dengan ketulenan, ketepatan dan kebolehpercayaan yang tiada tandingan, substrat ini membolehkan pengeluaran peranti semikonduktor termaju, memastikan prestasi jangka panjang dan kecekapan optimum. Pilih Semicera untuk keperluan substrat Si anda dan percaya pada produk yang direka untuk memenuhi permintaan teknologi masa depan.

barang

Pengeluaran

Penyelidikan

Dummy

Parameter Kristal

Politaip

4H

Ralat orientasi permukaan

<11-20 >4±0.15°

Parameter Elektrik

Dopan

Nitrogen jenis-n

Kerintangan

0.015-0.025ohm·cm

Parameter Mekanikal

Diameter

150.0±0.2mm

Ketebalan

350±25 μm

Orientasi rata utama

[1-100]±5°

Panjang rata utama

47.5±1.5mm

Flat sekunder

tiada

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Tunduk

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

meledingkan

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktur

Ketumpatan mikropaip

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kekotoran logam

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Kualiti Depan

Depan

Si

Kemasan permukaan

CMP muka Si

Zarah

≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm)

NA

calar

≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter

Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran

tiada

NA

Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex

tiada

Kawasan politaip

tiada

Luas terkumpul≤20%

Luas terkumpul≤30%

Penandaan laser hadapan

tiada

Kualiti Belakang

Kemasan belakang

C-muka CMP

calar

≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Kecacatan belakang (cip tepi/inden)

tiada

Kekasaran belakang

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Penandaan laser belakang

1 mm (dari tepi atas)

Tepi

Tepi

Chamfer

Pembungkusan

Pembungkusan

Epi-sedia dengan pembungkusan vakum

Pembungkusan kaset berbilang wafer

*Nota: "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak disebut boleh merujuk kepada SEMI-STD.

tech_1_2_size
wafer SiC

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya: