Substrat Si oleh Semicera ialah komponen penting dalam pengeluaran peranti semikonduktor berprestasi tinggi. Dicipta daripada Silikon (Si) ketulenan tinggi, substrat ini menawarkan keseragaman, kestabilan dan kekonduksian yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi lanjutan dalam industri semikonduktor. Sama ada digunakan dalam pengeluaran Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, atau SiN Substrate, Semicera Si Substrate memberikan kualiti yang konsisten dan prestasi unggul untuk memenuhi permintaan yang semakin meningkat bagi sains bahan dan elektronik moden.
Prestasi Tidak Ditandingi dengan Ketulenan dan Ketepatan Tinggi
Substrat Si Semicera dihasilkan menggunakan proses termaju yang memastikan ketulenan tinggi dan kawalan dimensi yang ketat. Substrat berfungsi sebagai asas untuk penghasilan pelbagai bahan berprestasi tinggi, termasuk Wafer Epi dan Wafer AlN. Ketepatan dan keseragaman Substrat Si menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk mencipta lapisan epitaxial filem nipis dan komponen kritikal lain yang digunakan dalam pengeluaran semikonduktor generasi akan datang. Sama ada anda bekerja dengan Gallium Oxide (Ga2O3) atau bahan termaju lain, Semicera's Si Substrat memastikan tahap kebolehpercayaan dan prestasi tertinggi.
Aplikasi dalam Pembuatan Semikonduktor
Dalam industri semikonduktor, Substrat Si daripada Semicera digunakan dalam pelbagai aplikasi, termasuk pengeluaran Si Wafer dan Substrat SiC, di mana ia menyediakan asas yang stabil dan boleh dipercayai untuk pemendapan lapisan aktif. Substrat memainkan peranan penting dalam menghasilkan Wafer SOI (Silicon On Insulator), yang penting untuk mikroelektronik termaju dan litar bersepadu. Tambahan pula, Epi-Wafer (wafer epitaxial) yang dibina di atas Substrat Si adalah penting dalam menghasilkan peranti semikonduktor berprestasi tinggi seperti transistor kuasa, diod dan litar bersepadu.
Substrat Si juga menyokong pembuatan peranti menggunakan Gallium Oxide (Ga2O3), bahan lebar jalur lebar yang menjanjikan digunakan untuk aplikasi berkuasa tinggi dalam elektronik kuasa. Selain itu, keserasian Substrat Si Semicera dengan Wafer AlN dan substrat termaju lain memastikan ia dapat memenuhi keperluan pelbagai industri berteknologi tinggi, menjadikannya penyelesaian ideal untuk pengeluaran peranti canggih dalam sektor telekomunikasi, automotif dan perindustrian. .
Kualiti Boleh Dipercayai dan Konsisten untuk Aplikasi Berteknologi Tinggi
Substrat Si oleh Semicera direka bentuk dengan teliti untuk memenuhi permintaan ketat fabrikasi semikonduktor. Integriti strukturnya yang luar biasa dan sifat permukaan berkualiti tinggi menjadikannya bahan yang ideal untuk digunakan dalam sistem kaset untuk pengangkutan wafer, serta untuk mencipta lapisan berketepatan tinggi dalam peranti semikonduktor. Keupayaan substrat untuk mengekalkan kualiti yang konsisten di bawah keadaan proses yang berbeza-beza memastikan kecacatan yang minimum, meningkatkan hasil dan prestasi produk akhir.
Dengan kekonduksian terma yang unggul, kekuatan mekanikal dan ketulenan yang tinggi, Semicera's Si Substrate ialah bahan pilihan bagi pengeluar yang ingin mencapai standard ketepatan, kebolehpercayaan dan prestasi tertinggi dalam pengeluaran semikonduktor.
Pilih Substrat Si Semicera untuk Penyelesaian Ketulenan Tinggi, Berprestasi Tinggi
Bagi pengeluar dalam industri semikonduktor, Substrat Si dari Semicera menawarkan penyelesaian berkualiti tinggi yang teguh untuk pelbagai aplikasi, daripada pengeluaran Si Wafer kepada penciptaan Epi-Wafers dan SOI Wafers. Dengan ketulenan, ketepatan dan kebolehpercayaan yang tiada tandingan, substrat ini membolehkan pengeluaran peranti semikonduktor termaju, memastikan prestasi jangka panjang dan kecekapan optimum. Pilih Semicera untuk keperluan substrat Si anda dan percaya pada produk yang direka untuk memenuhi permintaan teknologi masa depan.
barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
Parameter Kristal | |||
Politaip | 4H | ||
Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
Parameter Elektrik | |||
Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Parameter Mekanikal | |||
Diameter | 150.0±0.2mm | ||
Ketebalan | 350±25 μm | ||
Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
Flat sekunder | tiada | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Kualiti Depan | |||
Depan | Si | ||
Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
Penandaan laser hadapan | tiada | ||
Kualiti Belakang | |||
Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
Tepi | |||
Tepi | Chamfer | ||
Pembungkusan | |||
Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
*Nota: "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak disebut boleh merujuk kepada SEMI-STD. |