Pembawa SiC untuk rawatan haba pemanasan pantas RTP/RTA

Penerangan ringkas:

Silikon karbida ialah jenis seramik baharu dengan prestasi kos tinggi dan sifat bahan yang sangat baik. Disebabkan ciri seperti kekuatan dan kekerasan tinggi, rintangan suhu tinggi, kekonduksian terma yang hebat dan rintangan kakisan kimia, Silicon Carbide hampir boleh menahan semua medium kimia. Oleh itu, SiC digunakan secara meluas dalam perlombongan minyak, kimia, jentera dan ruang udara, malah tenaga nuklear dan tentera mempunyai tuntutan khas mereka terhadap SIC. Beberapa aplikasi biasa yang boleh kami tawarkan ialah cincin pengedap untuk pam, injap dan perisai pelindung dll.

Kami dapat mereka bentuk dan mengeluarkan mengikut dimensi khusus anda dengan kualiti yang baik dan masa penghantaran yang munasabah.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Penerangan

Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC.

Ciri-ciri Utama

1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:
rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.
2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (CTE)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300