Penerangan
Susceptors Wafer SiC Semicorex untuk MOCVD (Pemendapan Wap Kimia Logam-Organik) direka bentuk untuk memenuhi permintaan yang tepat bagi proses pemendapan epitaxial. Menggunakan Silicon Carbide (SiC) berkualiti tinggi, susceptor ini menawarkan ketahanan dan prestasi yang tiada tandingan dalam persekitaran suhu tinggi dan menghakis, memastikan pertumbuhan bahan semikonduktor yang tepat dan cekap.
Ciri-ciri Utama:
1. Sifat Bahan UnggulDibina daripada SiC gred tinggi, suseptor wafer kami mempamerkan kekonduksian terma dan rintangan kimia yang luar biasa. Ciri-ciri ini membolehkan mereka menahan keadaan melampau proses MOCVD, termasuk suhu tinggi dan gas menghakis, memastikan jangka hayat dan prestasi yang boleh dipercayai.
2. Ketepatan dalam Pemendapan EpitaxialKejuruteraan tepat Susceptors Wafer SiC kami memastikan pengedaran suhu seragam merentasi permukaan wafer, memudahkan pertumbuhan lapisan epitaxial yang konsisten dan berkualiti tinggi. Ketepatan ini penting untuk menghasilkan semikonduktor dengan sifat elektrik yang optimum.
3. Ketahanan yang DipertingkatkanBahan SiC yang teguh memberikan ketahanan yang sangat baik terhadap haus dan degradasi, walaupun di bawah pendedahan berterusan kepada persekitaran proses yang keras. Ketahanan ini mengurangkan kekerapan penggantian susceptor, meminimumkan masa henti dan kos operasi.
Aplikasi：
Susceptor Wafer SiC Semicorex untuk MOCVD sangat sesuai untuk:
• Pertumbuhan epitaxial bahan semikonduktor
• Proses MOCVD suhu tinggi
• Pengeluaran GaN, AlN dan semikonduktor kompaun lain
• Aplikasi pembuatan semikonduktor lanjutan
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC:
Faedah:
•Ketepatan Tinggi: Memastikan pertumbuhan epitaxial yang seragam dan berkualiti tinggi.
•Prestasi Tahan Lama: Ketahanan yang luar biasa mengurangkan kekerapan penggantian.
• Kecekapan Kos: Meminimumkan kos operasi melalui pengurangan masa henti dan penyelenggaraan.
•serba boleh: Boleh disesuaikan untuk memuatkan pelbagai keperluan proses MOCVD.
