Penerangan
Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC.
Ciri-ciri Utama
1. Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
2. Rintangan haba yang unggul & keseragaman haba
3. Disalut kristal SiC halus untuk permukaan licin
4. Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
| Sifat SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fasa FCC β | |
| Ketumpatan | g/cm ³ | 3.21 |
| Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
| Saiz Bijirin | μm | 2~10 |
| Ketulenan Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasiti Haba | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuatan Feleksural | MPa (RT 4 mata) | 415 |
| Modulus Muda | Gpa (4pt selekoh, 1300℃) | 430 |
| Pengembangan Terma (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Kekonduksian terma | (W/mK) | 300 |
