Silikon karbida adalah sejenis karbida sintetik dengan molekul SiC. Apabila ditenagakan, silika dan karbon biasanya terbentuk pada suhu tinggi melebihi 2000°C. Silikon karbida mempunyai ketumpatan teori 3.18g/cm3, kekerasan Mohs yang mengikuti berlian, dan kekerasan mikro 3300kg/mm3 antara 9.2 dan 9.8. Oleh kerana kekerasannya yang tinggi dan rintangan haus yang tinggi, ia mempunyai ciri-ciri rintangan suhu tinggi dan digunakan untuk pelbagai bahagian mekanikal yang tahan haus, tahan kakisan dan suhu tinggi. Ia adalah sejenis teknologi seramik tahan haus baharu.
1, sifat kimia.
(1) Rintangan pengoksidaan: Apabila bahan silikon karbida dipanaskan hingga 1300 ° C di udara, lapisan pelindung silikon dioksida mula dijana pada permukaan kristal silikon karbidanya. Dengan penebalan lapisan pelindung, silikon karbida dalaman terus teroksida, supaya silikon karbida mempunyai rintangan pengoksidaan yang baik. Apabila suhu mencapai lebih daripada 1900K(1627 ° C), filem pelindung silikon dioksida mula rosak, dan pengoksidaan silikon karbida dipergiatkan, jadi 1900K ialah suhu kerja silikon karbida dalam suasana pengoksidaan.
(2) Rintangan asid dan alkali: kerana peranan filem pelindung silikon dioksida, silikon karbida mempunyai sifat dalam peranan filem pelindung silikon dioksida.
2、Sifat fizikal dan mekanikal.
(1) Ketumpatan: Ketumpatan zarah pelbagai kristal karbida silikon adalah sangat rapat, secara amnya dianggap sebagai 3.20g/mm3, dan ketumpatan pembungkusan semulajadi pelelas silikon karbida adalah antara 1.2-1.6g/mm3, bergantung pada saiz zarah, komposisi saiz zarah dan bentuk saiz zarah.
(2) Kekerasan: Kekerasan Mohs silikon karbida ialah 9.2, ketumpatan mikro Wessler ialah 3000-3300kg/mm2, kekerasan Knopp ialah 2670-2815kg/mm, pelelas lebih tinggi daripada korundum, dekat dengan berlian, padu boron nitrida dan boron karbida.
(3) Kekonduksian terma: produk silikon karbida mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, pekali pengembangan haba yang kecil, rintangan kejutan haba yang tinggi, dan merupakan bahan refraktori berkualiti tinggi.
3、 Sifat elektrik.
| item | Unit | Data | Data | Data | Data | Data |
| RBsic(sisic) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| kandungan SiC | % | 85 | 76 | 99 | ≥99 | ≥90 |
| Kandungan silikon percuma | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Suhu perkhidmatan maksimum | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| Ketumpatan | g/cm^3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| Keliangan terbuka | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Kekuatan lenturan 20 ℃ | Mpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Kekuatan lenturan 1200 ℃ | Mpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Modulus keanjalan 20 ℃ | Gpa | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Modulus keanjalan 1200 ℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 | / |
| Kekonduksian terma 1200 ℃ | W/mk | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Pekali pengembangan terma | K^-lx10^-8 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | kg/m^m2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
