Pemanas Bersalut SiC Silicon Carbide

Penerangan ringkas:

Pemanas silikon karbida disalut dengan oksida logam, iaitu, cat inframerah jauh plat silikon karbida sebagai unsur sinaran, dalam lubang elemen (atau alur) ke dalam wayar pemanasan elektrik, di bahagian bawah plat silikon karbida meletakkan penebat yang lebih tebal, refraktori , bahan penebat haba, dan kemudian dipasang pada cangkang logam, terminal boleh digunakan untuk menyambungkan bekalan kuasa.

Apabila sinar inframerah jauh pemanas silikon karbida memancar ke objek, ia boleh menyerap, memantul dan melepasi. Bahan yang dipanaskan dan kering menyerap tenaga sinaran inframerah jauh pada kedalaman tertentu molekul dalaman dan permukaan pada masa yang sama, menghasilkan kesan pemanasan sendiri, supaya molekul pelarut atau air menguap dan memanaskan secara sekata, dengan itu mengelakkan ubah bentuk dan perubahan kualitatif disebabkan oleh tahap pengembangan haba yang berbeza, supaya penampilan bahan, sifat fizikal dan mekanikal, kelajuan dan warna kekal utuh.


Butiran Produk

Tag Produk

Penerangan

Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC.

Elemen Pemanas SiC (17)
Elemen Pemanas SiC (22)
Elemen Pemanas SiC (23)

Ciri-ciri Utama

1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:
rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.
2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD

Struktur Kristal Fasa FCC β
Ketumpatan g/cm ³ 3.21
Kekerasan Kekerasan Vickers 2500
Saiz Bijirin μm 2~10
Ketulenan Kimia % 99.99995
Kapasiti Haba J·kg-1 ·K-1 640
Suhu Sublimasi 2700
Kekuatan Feleksural MPa (RT 4 mata) 415
Modulus Muda Gpa (4pt selekoh, 1300℃) 430
Pengembangan Terma (CTE) 10-6K-1 4.5
Kekonduksian terma (W/mK) 300
Tempat kerja Semicera
Tempat kerja Semicera 2
Mesin peralatan
Pemprosesan CNN, pembersihan kimia, salutan CVD
Rumah Gudang Semicera
Perkhidmatan kami

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya: