Penerangan
Syarikat kami menyediakanSalutan SiCmemproses perkhidmatan melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaanbersalutbahan, membentuk lapisan pelindung SIC.
Ciri-ciri kepala pancuran mandian SiC adalah seperti berikut:
1. Rintangan kakisan: Bahan SiC mempunyai rintangan kakisan yang sangat baik dan boleh menahan hakisan pelbagai cecair dan larutan kimia, dan sesuai untuk pelbagai pemprosesan kimia dan proses rawatan permukaan.
2. Kestabilan suhu tinggi:muncung SiCboleh mengekalkan kestabilan struktur dalam persekitaran suhu tinggi dan sesuai untuk aplikasi yang memerlukan rawatan suhu tinggi.
3. Semburan seragam:muncung SiCreka bentuk mempunyai prestasi kawalan penyemburan yang baik, yang boleh mencapai pengedaran cecair seragam dan memastikan cecair rawatan diliputi sama rata pada permukaan sasaran.
4. Rintangan haus yang tinggi: Bahan SiC mempunyai kekerasan yang tinggi dan rintangan haus serta boleh menahan penggunaan dan geseran jangka panjang.
Kepala pancuran mandian SiC digunakan secara meluas dalam proses rawatan cecair dalam pembuatan semikonduktor, pemprosesan kimia, salutan permukaan, penyaduran elektrik dan bidang perindustrian lain. Ia boleh memberikan kesan semburan yang stabil, seragam dan boleh dipercayai untuk memastikan kualiti dan konsistensi pemprosesan dan rawatan.
Ciri-ciri Utama
1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:
rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.
2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
| Sifat SiC-CVD | ||
| Struktur Kristal | Fasa FCC β | |
| Ketumpatan | g/cm ³ | 3.21 |
| Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
| Saiz Bijirin | μm | 2~10 |
| Ketulenan Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasiti Haba | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
| Kekuatan Feleksural | MPa (RT 4 mata) | 415 |
| Modulus Muda | Gpa (4pt selekoh, 1300℃) | 430 |
| Pengembangan Terma (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Kekonduksian terma | (W/mK) | 300 |
