Filem Silikon oleh Semicera ialah bahan berkualiti tinggi yang direka bentuk untuk memenuhi keperluan ketat industri semikonduktor. Dihasilkan daripada silikon tulen, penyelesaian filem nipis ini menawarkan keseragaman yang sangat baik, ketulenan tinggi, dan sifat elektrik dan haba yang luar biasa. Ia sesuai untuk digunakan dalam pelbagai aplikasi semikonduktor, termasuk pengeluaran Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat dan Epi-Wafer. Filem Silikon Semicera memastikan prestasi yang boleh dipercayai dan konsisten, menjadikannya bahan penting untuk mikroelektronik termaju.
Kualiti dan Prestasi Unggul untuk Pembuatan Semikonduktor
Filem Silikon Semicera terkenal dengan kekuatan mekanikal yang luar biasa, kestabilan terma yang tinggi dan kadar kecacatan yang rendah, yang kesemuanya penting dalam fabrikasi semikonduktor berprestasi tinggi. Sama ada digunakan dalam penghasilan peranti Gallium Oxide (Ga2O3), AlN Wafer atau Epi-Wafers, filem ini menyediakan asas yang kukuh untuk pemendapan filem nipis dan pertumbuhan epitaxial. Keserasiannya dengan substrat semikonduktor lain seperti Substrat SiC dan Wafer SOI memastikan penyepaduan yang lancar ke dalam proses pembuatan sedia ada, membantu mengekalkan hasil yang tinggi dan kualiti produk yang konsisten.
Aplikasi dalam Industri Semikonduktor
Dalam industri semikonduktor, Filem Silikon Semicera digunakan dalam pelbagai aplikasi, daripada pengeluaran Si Wafer dan SOI Wafer kepada penggunaan yang lebih khusus seperti SiN Substrate dan penciptaan Epi-Wafer. Ketulenan dan ketepatan tinggi filem ini menjadikannya penting dalam penghasilan komponen termaju yang digunakan dalam segala-galanya daripada mikropemproses dan litar bersepadu kepada peranti optoelektronik.
Filem Silikon memainkan peranan penting dalam proses semikonduktor seperti pertumbuhan epitaxial, ikatan wafer, dan pemendapan filem nipis. Sifatnya yang boleh dipercayai amat berharga untuk industri yang memerlukan persekitaran yang sangat terkawal, seperti bilik bersih dalam fabrik semikonduktor. Selain itu, Filem Silikon boleh diintegrasikan ke dalam sistem kaset untuk pengendalian dan pengangkutan wafer yang cekap semasa pengeluaran.
Kebolehpercayaan dan Konsisten Jangka Panjang
Salah satu faedah utama menggunakan Filem Silikon Semicera ialah kebolehpercayaan jangka panjangnya. Dengan ketahanan yang sangat baik dan kualiti yang konsisten, filem ini menyediakan penyelesaian yang boleh dipercayai untuk persekitaran pengeluaran volum tinggi. Sama ada ia digunakan dalam peranti semikonduktor berketepatan tinggi atau aplikasi elektronik termaju, Filem Silikon Semicera memastikan pengeluar boleh mencapai prestasi tinggi dan kebolehpercayaan merentas pelbagai produk.
Mengapa Memilih Filem Silikon Semicera?
Filem Silikon daripada Semicera ialah bahan penting untuk aplikasi termaju dalam industri semikonduktor. Ciri berprestasi tingginya, termasuk kestabilan haba yang sangat baik, ketulenan tinggi dan kekuatan mekanikal, menjadikannya pilihan ideal untuk pengeluar yang ingin mencapai piawaian tertinggi dalam pengeluaran semikonduktor. Daripada Si Wafer dan Substrat SiC kepada pengeluaran peranti Gallium Oxide Ga2O3, filem ini memberikan kualiti dan prestasi yang tiada tandingan.
Dengan Filem Silikon Semicera, anda boleh mempercayai produk yang memenuhi keperluan pembuatan semikonduktor moden, menyediakan asas yang boleh dipercayai untuk generasi elektronik akan datang.
barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
Parameter Kristal | |||
Politaip | 4H | ||
Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
Parameter Elektrik | |||
Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Parameter Mekanikal | |||
Diameter | 150.0±0.2mm | ||
Ketebalan | 350±25 μm | ||
Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
Flat sekunder | tiada | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Kualiti Depan | |||
Depan | Si | ||
Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
Penandaan laser hadapan | tiada | ||
Kualiti Belakang | |||
Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
Tepi | |||
Tepi | Chamfer | ||
Pembungkusan | |||
Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
*Nota: "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak disebut boleh merujuk kepada SEMI-STD. |