Silikon Pada Wafer Penebat

Penerangan ringkas:

Wafer Silicon On Insulator (SOI) Semicera menyediakan pengasingan elektrik dan pengurusan haba yang luar biasa untuk aplikasi berprestasi tinggi. Dicipta untuk memberikan kecekapan dan kebolehpercayaan peranti yang unggul, wafer ini merupakan pilihan utama untuk teknologi semikonduktor termaju. Pilih Semicera untuk penyelesaian wafer SOI yang canggih.


Butiran Produk

Tag Produk

Wafer Silicon On Insulator (SOI) Semicera berada di barisan hadapan dalam inovasi semikonduktor, menawarkan pengasingan elektrik yang dipertingkatkan dan prestasi terma yang unggul. Struktur SOI, yang terdiri daripada lapisan silikon nipis pada substrat penebat, memberikan faedah kritikal untuk peranti elektronik berprestasi tinggi.

Wafer SOI kami direka untuk meminimumkan kemuatan parasit dan arus bocor, yang penting untuk membangunkan litar bersepadu berkelajuan tinggi dan berkuasa rendah. Teknologi canggih ini memastikan peranti beroperasi dengan lebih cekap, dengan kelajuan yang dipertingkatkan dan penggunaan tenaga yang berkurangan, penting untuk elektronik moden.

Proses pembuatan termaju yang digunakan oleh Semicera menjamin pengeluaran wafer SOI dengan keseragaman dan konsistensi yang sangat baik. Kualiti ini penting untuk aplikasi dalam telekomunikasi, automotif dan elektronik pengguna, di mana komponen yang boleh dipercayai dan berprestasi tinggi diperlukan.

Sebagai tambahan kepada faedah elektriknya, wafer SOI Semicera menawarkan penebat haba yang unggul, meningkatkan pelesapan haba dan kestabilan dalam peranti berketumpatan tinggi dan berkuasa tinggi. Ciri ini amat berharga dalam aplikasi yang melibatkan penjanaan haba yang ketara dan memerlukan pengurusan haba yang berkesan.

Dengan memilih Semicera's Silicon On Insulator Wafer, anda melabur dalam produk yang menyokong kemajuan teknologi termaju. Komitmen kami terhadap kualiti dan inovasi memastikan wafer SOI kami memenuhi permintaan ketat industri semikonduktor hari ini, menyediakan asas untuk peranti elektronik generasi akan datang.

barang

Pengeluaran

Penyelidikan

Dummy

Parameter Kristal

Politaip

4H

Ralat orientasi permukaan

<11-20 >4±0.15°

Parameter Elektrik

Dopan

Nitrogen jenis-n

Kerintangan

0.015-0.025ohm·cm

Parameter Mekanikal

Diameter

150.0±0.2mm

Ketebalan

350±25 μm

Orientasi rata utama

[1-100]±5°

Panjang rata utama

47.5±1.5mm

Flat sekunder

tiada

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Tunduk

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

meledingkan

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktur

Ketumpatan mikropaip

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kekotoran logam

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Kualiti Depan

Depan

Si

Kemasan permukaan

CMP muka Si

Zarah

≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm)

NA

calar

≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter

Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran

tiada

NA

Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex

tiada

Kawasan politaip

tiada

Luas terkumpul≤20%

Luas terkumpul≤30%

Penandaan laser hadapan

tiada

Kualiti Belakang

Kemasan belakang

C-muka CMP

calar

≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Kecacatan belakang (cip tepi/inden)

tiada

Kekasaran belakang

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Penandaan laser belakang

1 mm (dari tepi atas)

Tepi

Tepi

Chamfer

Pembungkusan

Pembungkusan

Epi-sedia dengan pembungkusan vakum

Pembungkusan kaset berbilang wafer

*Nota: "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak disebut boleh merujuk kepada SEMI-STD.

tech_1_2_size
wafer SiC

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya: