Wafer Silicon On Insulator (SOI) Semicera berada di barisan hadapan dalam inovasi semikonduktor, menawarkan pengasingan elektrik yang dipertingkatkan dan prestasi terma yang unggul. Struktur SOI, yang terdiri daripada lapisan silikon nipis pada substrat penebat, memberikan faedah kritikal untuk peranti elektronik berprestasi tinggi.
Wafer SOI kami direka untuk meminimumkan kemuatan parasit dan arus bocor, yang penting untuk membangunkan litar bersepadu berkelajuan tinggi dan berkuasa rendah. Teknologi canggih ini memastikan peranti beroperasi dengan lebih cekap, dengan kelajuan yang dipertingkatkan dan penggunaan tenaga yang berkurangan, penting untuk elektronik moden.
Proses pembuatan termaju yang digunakan oleh Semicera menjamin pengeluaran wafer SOI dengan keseragaman dan konsistensi yang sangat baik. Kualiti ini penting untuk aplikasi dalam telekomunikasi, automotif dan elektronik pengguna, di mana komponen yang boleh dipercayai dan berprestasi tinggi diperlukan.
Sebagai tambahan kepada faedah elektriknya, wafer SOI Semicera menawarkan penebat haba yang unggul, meningkatkan pelesapan haba dan kestabilan dalam peranti berketumpatan tinggi dan berkuasa tinggi. Ciri ini amat berharga dalam aplikasi yang melibatkan penjanaan haba yang ketara dan memerlukan pengurusan haba yang berkesan.
Dengan memilih Semicera's Silicon On Insulator Wafer, anda melabur dalam produk yang menyokong kemajuan teknologi termaju. Komitmen kami terhadap kualiti dan inovasi memastikan wafer SOI kami memenuhi permintaan ketat industri semikonduktor hari ini, menyediakan asas untuk peranti elektronik generasi akan datang.
barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
Parameter Kristal | |||
Politaip | 4H | ||
Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
Parameter Elektrik | |||
Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Parameter Mekanikal | |||
Diameter | 150.0±0.2mm | ||
Ketebalan | 350±25 μm | ||
Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
Flat sekunder | tiada | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Kualiti Depan | |||
Depan | Si | ||
Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
Penandaan laser hadapan | tiada | ||
Kualiti Belakang | |||
Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
Tepi | |||
Tepi | Chamfer | ||
Pembungkusan | |||
Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
*Nota: "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak disebut boleh merujuk kepada SEMI-STD. |