Silikon pada Wafer Penebatdaripada Semicera direka untuk memenuhi permintaan yang semakin meningkat untuk penyelesaian semikonduktor berprestasi tinggi. Wafer SOI kami menawarkan prestasi elektrik yang unggul dan kapasiti peranti parasit yang dikurangkan, menjadikannya sesuai untuk aplikasi lanjutan seperti peranti MEMS, penderia dan litar bersepadu. Kepakaran Semicera dalam pengeluaran wafer memastikan setiapwafer SOImemberikan hasil yang boleh dipercayai dan berkualiti tinggi untuk keperluan teknologi generasi akan datang anda.
kamiSilikon pada Wafer Penebatmenawarkan keseimbangan optimum antara keberkesanan kos dan prestasi. Dengan kos wafer soi menjadi semakin kompetitif, wafer ini digunakan secara meluas dalam pelbagai industri, termasuk mikroelektronik dan optoelektronik. Proses pengeluaran berketepatan tinggi Semicera menjamin ikatan wafer yang unggul dan keseragaman, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi, daripada wafer SOI rongga kepada wafer silikon standard.
Ciri-ciri Utama:
•Wafer SOI berkualiti tinggi dioptimumkan untuk prestasi dalam MEMS dan aplikasi lain.
•Kos wafer soi yang kompetitif untuk perniagaan yang mencari penyelesaian lanjutan tanpa menjejaskan kualiti.
•Ideal untuk teknologi canggih, menawarkan pengasingan elektrik yang dipertingkatkan dan kecekapan dalam silikon pada sistem penebat.
kamiSilikon pada Wafer Penebatdireka bentuk untuk menyediakan penyelesaian berprestasi tinggi, menyokong gelombang inovasi seterusnya dalam teknologi semikonduktor. Sama ada anda bekerja pada ronggawafer SOI, peranti MEMS, atau silikon pada komponen penebat, Semicera menyampaikan wafer yang memenuhi piawaian tertinggi dalam industri.
barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
Parameter Kristal | |||
Politaip | 4H | ||
Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
Parameter Elektrik | |||
Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Parameter Mekanikal | |||
Diameter | 150.0±0.2mm | ||
Ketebalan | 350±25 μm | ||
Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
Flat sekunder | tiada | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Kualiti Depan | |||
Depan | Si | ||
Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
Penandaan laser hadapan | tiada | ||
Kualiti Belakang | |||
Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
Tepi | |||
Tepi | Chamfer | ||
Pembungkusan | |||
Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
*Nota: "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak disebut boleh merujuk kepada SEMI-STD. |