Wafer SOI Semicera (Silicon On Insulator) direka untuk menyampaikan pengasingan elektrik dan prestasi haba yang unggul. Struktur wafer yang inovatif ini, menampilkan lapisan silikon pada lapisan penebat, memastikan prestasi peranti dipertingkatkan dan mengurangkan penggunaan kuasa, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi berteknologi tinggi.
Wafer SOI kami menawarkan faedah luar biasa untuk litar bersepadu dengan meminimumkan kemuatan parasit dan meningkatkan kelajuan dan kecekapan peranti. Ini adalah penting untuk elektronik moden, di mana prestasi tinggi dan kecekapan tenaga adalah penting untuk kedua-dua aplikasi pengguna dan industri.
Semicera menggunakan teknik pembuatan termaju untuk menghasilkan wafer SOI dengan kualiti dan kebolehpercayaan yang konsisten. Wafer ini memberikan penebat haba yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran di mana pelesapan haba menjadi kebimbangan, seperti dalam peranti elektronik berketumpatan tinggi dan sistem pengurusan kuasa.
Penggunaan wafer SOI dalam fabrikasi semikonduktor membolehkan pembangunan cip yang lebih kecil, lebih pantas dan lebih dipercayai. Komitmen Semicera terhadap kejuruteraan ketepatan memastikan wafer SOI kami memenuhi piawaian tinggi yang diperlukan untuk teknologi termaju dalam bidang seperti telekomunikasi, automotif dan elektronik pengguna.
Memilih Wafer SOI Semicera bermakna melabur dalam produk yang menyokong kemajuan teknologi elektronik dan mikroelektronik. Wafer kami direka untuk memberikan prestasi dan ketahanan yang dipertingkatkan, menyumbang kepada kejayaan projek berteknologi tinggi anda dan memastikan anda kekal di barisan hadapan dalam inovasi.
barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
Parameter Kristal | |||
Politaip | 4H | ||
Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
Parameter Elektrik | |||
Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Parameter Mekanikal | |||
Diameter | 150.0±0.2mm | ||
Ketebalan | 350±25 μm | ||
Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
Flat sekunder | tiada | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Kualiti Depan | |||
Depan | Si | ||
Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
Penandaan laser hadapan | tiada | ||
Kualiti Belakang | |||
Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
Tepi | |||
Tepi | Chamfer | ||
Pembungkusan | |||
Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
*Nota: "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak disebut boleh merujuk kepada SEMI-STD. |