SOI Wafer Silicon Pada Penebat

Penerangan ringkas:

Wafer SOI Semicera (Silicon On Insulator) menyediakan pengasingan dan prestasi elektrik yang luar biasa untuk aplikasi semikonduktor lanjutan. Kejuruteraan untuk kecekapan haba dan elektrik yang unggul, wafer ini sesuai untuk litar bersepadu berprestasi tinggi. Pilih Semicera untuk kualiti dan kebolehpercayaan dalam teknologi wafer SOI.


Butiran Produk

Tag Produk

Wafer SOI Semicera (Silicon On Insulator) direka untuk menyampaikan pengasingan elektrik dan prestasi haba yang unggul. Struktur wafer yang inovatif ini, menampilkan lapisan silikon pada lapisan penebat, memastikan prestasi peranti dipertingkatkan dan mengurangkan penggunaan kuasa, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi berteknologi tinggi.

Wafer SOI kami menawarkan faedah luar biasa untuk litar bersepadu dengan meminimumkan kemuatan parasit dan meningkatkan kelajuan dan kecekapan peranti. Ini adalah penting untuk elektronik moden, di mana prestasi tinggi dan kecekapan tenaga adalah penting untuk kedua-dua aplikasi pengguna dan industri.

Semicera menggunakan teknik pembuatan termaju untuk menghasilkan wafer SOI dengan kualiti dan kebolehpercayaan yang konsisten. Wafer ini memberikan penebat haba yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran di mana pelesapan haba menjadi kebimbangan, seperti dalam peranti elektronik berketumpatan tinggi dan sistem pengurusan kuasa.

Penggunaan wafer SOI dalam fabrikasi semikonduktor membolehkan pembangunan cip yang lebih kecil, lebih pantas dan lebih dipercayai. Komitmen Semicera terhadap kejuruteraan ketepatan memastikan wafer SOI kami memenuhi piawaian tinggi yang diperlukan untuk teknologi termaju dalam bidang seperti telekomunikasi, automotif dan elektronik pengguna.

Memilih Wafer SOI Semicera bermakna melabur dalam produk yang menyokong kemajuan teknologi elektronik dan mikroelektronik. Wafer kami direka untuk memberikan prestasi dan ketahanan yang dipertingkatkan, menyumbang kepada kejayaan projek berteknologi tinggi anda dan memastikan anda kekal di barisan hadapan dalam inovasi.

barang

Pengeluaran

Penyelidikan

Dummy

Parameter Kristal

Politaip

4H

Ralat orientasi permukaan

<11-20 >4±0.15°

Parameter Elektrik

Dopan

Nitrogen jenis-n

Kerintangan

0.015-0.025ohm·cm

Parameter Mekanikal

Diameter

150.0±0.2mm

Ketebalan

350±25 μm

Orientasi rata utama

[1-100]±5°

Panjang rata utama

47.5±1.5mm

Flat sekunder

tiada

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Tunduk

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

meledingkan

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktur

Ketumpatan mikropaip

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kekotoran logam

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Kualiti Depan

Depan

Si

Kemasan permukaan

CMP muka Si

Zarah

≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm)

NA

calar

≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter

Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran

tiada

NA

Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex

tiada

Kawasan politaip

tiada

Luas terkumpul≤20%

Luas terkumpul≤30%

Penandaan laser hadapan

tiada

Kualiti Belakang

Kemasan belakang

C-muka CMP

calar

≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter

NA

Kecacatan belakang (cip tepi/inden)

tiada

Kekasaran belakang

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Penandaan laser belakang

1 mm (dari tepi atas)

Tepi

Tepi

Chamfer

Pembungkusan

Pembungkusan

Epi-sedia dengan pembungkusan vakum

Pembungkusan kaset berbilang wafer

*Nota: "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak dinyatakan boleh merujuk kepada SEMI-STD.

tech_1_2_size
wafer SiC

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya: