Semicera menyediakan salutan tantalum karbida (TaC) khusus untuk pelbagai komponen dan pembawa.Proses salutan terkemuka Semicera membolehkan salutan tantalum karbida (TaC) mencapai ketulenan tinggi, kestabilan suhu tinggi dan toleransi kimia yang tinggi, meningkatkan kualiti produk kristal SIC/GAN dan lapisan EPI (Susceptor TaC bersalut grafit), dan memanjangkan hayat komponen reaktor utama. Penggunaan salutan TaC tantalum karbida adalah untuk menyelesaikan masalah kelebihan dan meningkatkan kualiti pertumbuhan kristal, dan Semicera telah memecahkan teknologi salutan tantalum karbida (CVD), mencapai tahap lanjutan antarabangsa.
Selepas bertahun-tahun pembangunan, Semicera telah menakluki teknologiCVD TaCdengan usaha bersama jabatan R&D. Kecacatan mudah berlaku dalam proses pertumbuhan wafer SiC, tetapi selepas digunakanTaC, perbezaannya adalah ketara. Di bawah ialah perbandingan wafer dengan dan tanpa TaC, serta bahagian Semicera' untuk pertumbuhan kristal tunggal
dengan dan tanpa TaC
Selepas menggunakan TaC (kanan)
Selain itu, hayat perkhidmatan produk salutan TaC Semicera adalah lebih lama dan lebih tahan terhadap suhu tinggi berbanding salutan SiC. Selepas lama data pengukuran makmal, TaC kami boleh berfungsi untuk masa yang lama pada maksimum 2300 darjah Celsius. Berikut adalah beberapa sampel kami:
(a) Gambarajah skematik peranti tumbuh jongkong kristal tunggal SiC dengan kaedah PVT (b) Pendakap benih bersalut TaC atas (termasuk benih SiC) (c) Cincin panduan grafit bersalut TAC
