Semicera memperkenalkanPembawa Kaset Wafer, penyelesaian kritikal untuk pengendalian wafer semikonduktor yang selamat dan cekap. Pembawa ini direka bentuk untuk memenuhi keperluan ketat industri semikonduktor, memastikan perlindungan dan integriti wafer anda sepanjang proses pembuatan.
Ciri-ciri Utama:
•Pembinaan Teguh:ThePembawa Kaset Waferdibina daripada bahan berkualiti tinggi dan tahan lasak yang menahan keras persekitaran semikonduktor, memberikan perlindungan yang boleh dipercayai terhadap pencemaran dan kerosakan fizikal.
•Penjajaran Tepat:Direka bentuk untuk penjajaran wafer yang tepat, pembawa ini memastikan bahawa wafer dipegang dengan selamat, meminimumkan risiko salah jajaran atau kerosakan semasa pengangkutan.
•Pengendalian Mudah:Direka secara ergonomik untuk kemudahan penggunaan, pembawa memudahkan proses pemuatan dan pemunggahan, meningkatkan kecekapan aliran kerja dalam persekitaran bilik bersih.
•Keserasian:Serasi dengan pelbagai saiz dan jenis wafer, menjadikannya serba boleh untuk pelbagai keperluan pembuatan semikonduktor.
Alami perlindungan dan kemudahan yang tiada tandingan dengan Semicera'sPembawa Kaset Wafer. Pembawa kami direka bentuk untuk memenuhi piawaian tertinggi pembuatan semikonduktor, memastikan wafer anda kekal dalam keadaan bersih dari awal hingga akhir. Percayai Semicera untuk menyampaikan kualiti dan kebolehpercayaan yang anda perlukan untuk proses paling kritikal anda.
| barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
| Parameter Kristal | |||
| Politaip | 4H | ||
| Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Elektrik | |||
| Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
| Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanikal | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 μm | ||
| Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
| Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
| Flat sekunder | tiada | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualiti Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
| Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
| calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
| Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
| Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
| Penandaan laser hadapan | tiada | ||
| Kualiti Belakang | |||
| Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
| calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
| Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepi | |||
| Tepi | Chamfer | ||
| Pembungkusan | |||
| Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
| *Nota： "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak dinyatakan boleh merujuk kepada SEMI-STD. | |||
