Substrat 4H-SiC jenis P 2~6 inci 4° luar sudut

Substrat 2~6 inci 4° luar sudut P-jenis 4H-SiC Semicera direka bentuk untuk memenuhi keperluan pengeluar peranti RF dan kuasa berprestasi tinggi yang semakin meningkat. Orientasi luar sudut 4° memastikan pertumbuhan epitaxial yang dioptimumkan, menjadikan substrat ini asas yang ideal untuk pelbagai peranti semikonduktor, termasuk MOSFET, IGBT dan diod.

Substrat 2~6 inci 4° luar sudut P-jenis 4H-SiC ini mempunyai sifat bahan yang sangat baik, termasuk kekonduksian terma yang tinggi, prestasi elektrik yang sangat baik dan kestabilan mekanikal yang cemerlang. Orientasi luar sudut membantu mengurangkan ketumpatan mikropaip dan menggalakkan lapisan epitaxial yang lebih licin, yang penting untuk meningkatkan prestasi dan kebolehpercayaan peranti semikonduktor akhir.

Substrat 2~6 inci 4° luar sudut P-jenis 4H-SiC Semicera tersedia dalam pelbagai diameter, antara 2 inci hingga 6 inci, untuk memenuhi keperluan pembuatan yang berbeza. Substrat kami direka bentuk dengan tepat untuk menyediakan tahap doping seragam dan ciri permukaan berkualiti tinggi, memastikan setiap wafer memenuhi spesifikasi ketat yang diperlukan untuk aplikasi elektronik lanjutan.

Komitmen Semicera terhadap inovasi dan kualiti memastikan substrat 4H-SiC luar sudut 2~6 inci 4° kami memberikan prestasi yang konsisten dalam pelbagai aplikasi daripada elektronik kuasa kepada peranti frekuensi tinggi. Produk ini menyediakan penyelesaian yang boleh dipercayai untuk generasi akan datang bagi semikonduktor yang cekap tenaga, berprestasi tinggi, menyokong kemajuan teknologi dalam industri seperti automotif, telekomunikasi dan tenaga boleh diperbaharui.