Epitaksi LED biru/hijau

Penerangan Ringkas:

Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Ciri-ciri utama:

1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:

rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.

2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.

4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama bagiSalutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa FCC β
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (CTE)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300