Penerangan Produk
4j-n 4inci 6inci dia100mm wafer biji sic ketebalan 1mm untuk pertumbuhan jongkong
Saiz tersuai/2 inci/3 inci/4 inci/6 inci 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC jongkong/Ketulenan tinggi 4H-N 4 inci 6 inci dia 150mm silikon karbida kristal tunggal (sic) waferS/ Wafer sic potong tersuaiPengeluaran 4 inci Wafer SIC gred 4H-N 1.5mm untuk kristal benih
Mengenai Silicon Carbide (SiC)Crystal
Silicon carbide (SiC), juga dikenali sebagai carborundum, ialah semikonduktor yang mengandungi silikon dan karbon dengan formula kimia SiC.SiC digunakan dalam peranti elektronik semikonduktor yang beroperasi pada suhu tinggi atau voltan tinggi, atau kedua-duanya.SiC juga merupakan salah satu daripada komponen LED yang penting, ia adalah substrat yang popular untuk peranti GaN yang semakin meningkat, dan ia juga berfungsi sebagai penyebar haba dalam tinggi- LED kuasa.
Penerangan
| Harta benda | 4H-SiC, Kristal Tunggal | 6H-SiC, Kristal Tunggal |
| Parameter Kekisi | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Susunan Susun | ABCB | ABCACB |
| Kekerasan Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Ketumpatan | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm.Pekali Pengembangan | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indeks Biasan @750nm | tidak = 2.61 | tidak = 2.60 |
| Pemalar Dielektrik | c~9.66 | c~9.66 |
| Kekonduksian Terma (jenis-N, 0.02 ohm.cm) | a~4.2 W/cm·K@298K |
|
| Kekonduksian Terma (Separa penebat) | a~4.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| Jurang jalur | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Medan Elektrik Pecah | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Halaju Hanyut Ketepuan | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
