Fokus Cincin SiC CVD

Penerangan ringkas:

Fokus CVD ialah kaedah pemendapan wap kimia khas yang menggunakan keadaan tindak balas dan parameter kawalan khusus untuk mencapai kawalan fokus setempat bagi pemendapan bahan. Dalam penyediaan cincin SiC CVD fokus, kawasan fokus merujuk kepada bahagian khusus struktur cincin yang akan menerima pemendapan utama untuk membentuk bentuk dan saiz tertentu yang diperlukan.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Mengapa Focus CVD SiC Ring ?

FokusCincin SiC CVDialah bahan gelang silikon karbida (SiC) yang disediakan oleh teknologi Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD).

FokusCincin SiC CVDmempunyai banyak ciri prestasi cemerlang. Pertama, ia mempunyai kekerasan yang tinggi, takat lebur yang tinggi dan rintangan suhu tinggi yang sangat baik, dan boleh mengekalkan kestabilan dan integriti struktur di bawah keadaan suhu yang melampau. Kedua, FokusCincin SiC CVDmempunyai kestabilan kimia yang sangat baik dan rintangan kakisan, dan mempunyai rintangan yang tinggi terhadap media menghakis seperti asid dan alkali. Di samping itu, ia juga mempunyai kekonduksian haba dan kekuatan mekanikal yang sangat baik, yang sesuai untuk keperluan aplikasi dalam persekitaran suhu tinggi, tekanan tinggi dan menghakis.

FokusCincin SiC CVDdigunakan secara meluas dalam pelbagai bidang. Ia sering digunakan untuk pengasingan haba dan bahan perlindungan peralatan suhu tinggi, seperti relau suhu tinggi, peranti vakum dan reaktor kimia. Selain itu, FokusCincin SiC CVDjuga boleh digunakan dalam optoelektronik, pembuatan semikonduktor, jentera ketepatan dan aeroangkasa, memberikan toleransi dan kebolehpercayaan alam sekitar berprestasi tinggi.

Kelebihan kami, kenapa pilih Semicera?

✓Kualiti terbaik di pasaran China

✓Perkhidmatan yang baik sentiasa untuk anda, 7*24 jam

✓Tarikh penghantaran yang singkat

✓MOQ kecil dialu-alukan dan diterima

✓Perkhidmatan tersuai

Permohonan

Susceptor Pertumbuhan Epitaksi

Wafer silikon/silikon karbida perlu melalui pelbagai proses untuk digunakan dalam peranti elektronik. Proses penting ialah silikon/sic epitaxy, di mana wafer silikon/sic dibawa pada asas grafit. Kelebihan istimewa asas grafit bersalut silikon karbida Semicera termasuk ketulenan yang sangat tinggi, salutan seragam dan hayat perkhidmatan yang sangat panjang. Mereka juga mempunyai rintangan kimia yang tinggi dan kestabilan haba.

Susceptor Epitaksi Silikon

Susceptor Epitaksi Silikon Karbida

Pengeluaran Cip LED

Semasa salutan meluas reaktor MOCVD, pangkalan planet atau pembawa menggerakkan wafer substrat. Prestasi bahan asas mempunyai pengaruh yang besar terhadap kualiti salutan, yang seterusnya mempengaruhi kadar sekerap cip. Tapak bersalut silikon karbida Semicera meningkatkan kecekapan pembuatan wafer LED berkualiti tinggi dan meminimumkan sisihan panjang gelombang. Kami juga membekalkan komponen grafit tambahan untuk semua reaktor MOCVD yang sedang digunakan. Kita boleh menyalut hampir mana-mana komponen dengan salutan silikon karbida, walaupun diameter komponen sehingga 1.5M, kita masih boleh menyalut dengan silikon karbida.

Susceptor Epitaksi LED

Medan Semikonduktor, Proses Resapan Pengoksidaan, Dll.

Dalam proses semikonduktor, proses pengembangan pengoksidaan memerlukan ketulenan produk yang tinggi, dan di Semicera kami menawarkan perkhidmatan salutan tersuai dan CVD untuk kebanyakan bahagian silikon karbida.

Gambar berikut menunjukkan buburan silikon karbida Semicea yang diproses kasar dan tiub relau karbida silikon yang dibersihkan dalam 1000-peringkatbebas habukbilik. Pekerja kami bekerja sebelum menyalut. Ketulenan silikon karbida kami boleh mencapai 99.99%, dan ketulenan salutan sic lebih besar daripada 99.99995%.