Semiceradengan bangga mempersembahkan kecanggihannyaGaN Epitaxyperkhidmatan, direka untuk memenuhi keperluan industri semikonduktor yang sentiasa berkembang. Gallium nitride (GaN) ialah bahan yang terkenal dengan sifatnya yang luar biasa, dan proses pertumbuhan epitaxial kami memastikan bahawa faedah ini direalisasikan sepenuhnya dalam peranti anda.
Lapisan GaN Berprestasi Tinggi Semicerapakar dalam pengeluaran berkualiti tinggiGaN Epitaxylapisan, menawarkan ketulenan bahan yang tiada tandingan dan integriti struktur. Lapisan ini penting untuk pelbagai aplikasi, daripada elektronik kuasa kepada optoelektronik, di mana prestasi unggul dan kebolehpercayaan adalah penting. Teknik pertumbuhan ketepatan kami memastikan bahawa setiap lapisan GaN memenuhi piawaian yang tepat yang diperlukan untuk peranti canggih.
Dioptimumkan untuk KecekapanTheGaN Epitaxydisediakan oleh Semicera direka khusus untuk meningkatkan kecekapan komponen elektronik anda. Dengan menyampaikan lapisan GaN yang cacat rendah, ketulenan tinggi, kami membolehkan peranti beroperasi pada frekuensi dan voltan yang lebih tinggi, dengan kehilangan kuasa yang berkurangan. Pengoptimuman ini adalah kunci untuk aplikasi seperti transistor mobiliti elektron tinggi (HEMT) dan diod pemancar cahaya (LED), di mana kecekapan adalah diutamakan.
Potensi Aplikasi Serbaguna Semicera'sGaN Epitaxyadalah serba boleh, memenuhi pelbagai industri dan aplikasi. Sama ada anda sedang membangunkan penguat kuasa, komponen RF atau diod laser, lapisan epitaxial GaN kami menyediakan asas yang diperlukan untuk peranti berprestasi tinggi dan boleh dipercayai. Proses kami boleh disesuaikan untuk memenuhi keperluan khusus, memastikan produk anda mencapai hasil yang optimum.
Komitmen terhadap KualitiKualiti adalah asas kepadaSemicerapendekatan untukGaN Epitaxy. Kami menggunakan teknologi pertumbuhan epitaxial termaju dan langkah kawalan kualiti yang ketat untuk menghasilkan lapisan GaN yang mempamerkan keseragaman yang sangat baik, ketumpatan kecacatan yang rendah dan sifat bahan yang unggul. Komitmen terhadap kualiti ini memastikan peranti anda bukan sahaja memenuhi tetapi melebihi piawaian industri.
Teknik Pertumbuhan Inovatif Semiceraberada di barisan hadapan dalam inovasi dalam bidangGaN Epitaxy. Pasukan kami terus meneroka kaedah dan teknologi baharu untuk meningkatkan proses pertumbuhan, menyampaikan lapisan GaN dengan ciri elektrik dan haba yang dipertingkatkan. Inovasi ini diterjemahkan kepada peranti yang berprestasi lebih baik, yang mampu memenuhi permintaan aplikasi generasi akan datang.
Penyelesaian Tersuai untuk Projek AndaMenyedari bahawa setiap projek mempunyai keperluan yang unik,Semiceratawaran disesuaikanGaN Epitaxypenyelesaian. Sama ada anda memerlukan profil doping tertentu, ketebalan lapisan atau kemasan permukaan, kami bekerjasama rapat dengan anda untuk membangunkan proses yang memenuhi keperluan tepat anda. Matlamat kami adalah untuk memberikan anda lapisan GaN yang direka bentuk dengan tepat untuk menyokong prestasi dan kebolehpercayaan peranti anda.
| barang | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
| Parameter Kristal | |||
| Politaip | 4H | ||
| Ralat orientasi permukaan | <11-20 >4±0.15° | ||
| Parameter Elektrik | |||
| Dopan | Nitrogen jenis-n | ||
| Kerintangan | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parameter Mekanikal | |||
| Diameter | 150.0±0.2mm | ||
| Ketebalan | 350±25 μm | ||
| Orientasi rata utama | [1-100]±5° | ||
| Panjang rata utama | 47.5±1.5mm | ||
| Flat sekunder | tiada | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Tunduk | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| meledingkan | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Kekasaran hadapan(Si-muka) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Ketumpatan mikropaip | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kekotoran logam | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualiti Depan | |||
| Depan | Si | ||
| Kemasan permukaan | CMP muka Si | ||
| Zarah | ≤60ea/wafer (saiz≥0.3μm) | NA | |
| calar | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diameter | Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA |
| Kulit oren/lubang/noda/jalur/rekahan/pencemaran | tiada | NA | |
| Serpihan tepi/lekukan/pecahan/plat hex | tiada | ||
| Kawasan politaip | tiada | Luas terkumpul≤20% | Luas terkumpul≤30% |
| Penandaan laser hadapan | tiada | ||
| Kualiti Belakang | |||
| Kemasan belakang | C-muka CMP | ||
| calar | ≤5ea/mm, Panjang kumulatif≤2*Diameter | NA | |
| Kecacatan belakang (cip tepi/inden) | tiada | ||
| Kekasaran belakang | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Penandaan laser belakang | 1 mm (dari tepi atas) | ||
| Tepi | |||
| Tepi | Chamfer | ||
| Pembungkusan | |||
| Pembungkusan | Epi-sedia dengan pembungkusan vakum Pembungkusan kaset berbilang wafer | ||
| *Nota： "NA" bermaksud tiada permintaan Item yang tidak dinyatakan boleh merujuk kepada SEMI-STD. | |||
