Substrat Gallium Nitride|Wafer GaN

Penerangan Ringkas:

Gallium nitride (GaN), seperti bahan silikon karbida (SiC), tergolong dalam generasi ketiga bahan semikonduktor dengan lebar jurang jalur lebar, dengan lebar jurang jalur yang besar, kekonduksian haba yang tinggi, kadar migrasi ketepuan elektron yang tinggi, dan medan elektrik pecahan tinggi yang luar biasa. ciri-ciri.Peranti GaN mempunyai pelbagai prospek aplikasi dalam bidang frekuensi tinggi, kelajuan tinggi dan permintaan kuasa tinggi seperti lampu penjimatan tenaga LED, paparan unjuran laser, kenderaan tenaga baharu, grid pintar, komunikasi 5G.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Bahan semikonduktor generasi ketiga terutamanya termasuk SiC, GaN, berlian, dsb., kerana lebar jurang jalurnya (Eg) lebih besar daripada atau sama dengan 2.3 volt elektron (eV), juga dikenali sebagai bahan semikonduktor jurang jalur lebar.Berbanding dengan bahan semikonduktor generasi pertama dan kedua, bahan semikonduktor generasi ketiga mempunyai kelebihan kekonduksian haba yang tinggi, medan elektrik pecahan tinggi, kadar penghijrahan elektron tepu yang tinggi dan tenaga ikatan yang tinggi, yang boleh memenuhi keperluan baru teknologi elektronik moden untuk tinggi. suhu, kuasa tinggi, tekanan tinggi, frekuensi tinggi dan rintangan sinaran dan keadaan lain yang keras.Ia mempunyai prospek aplikasi yang penting dalam bidang pertahanan negara, penerbangan, aeroangkasa, penerokaan minyak, penyimpanan optik, dan lain-lain, dan boleh mengurangkan kehilangan tenaga lebih daripada 50% dalam banyak industri strategik seperti komunikasi jalur lebar, tenaga suria, pembuatan kereta, pencahayaan semikonduktor, dan grid pintar, dan boleh mengurangkan volum peralatan lebih daripada 75%, yang merupakan peristiwa penting untuk pembangunan sains dan teknologi manusia.

Item 项目	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Diameter 晶圆直径	50.8 ± 1 mm
Ketebalan厚度	350 ± 25 μm
Orientasi 晶向	C satah (0001) luar sudut ke arah paksi-M 0.35 ± 0.15°
Pangsapuri Perdana 主定位边	(1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm
Flat Sekunder 次定位边	(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm
Kekonduksian 导电性	N-jenis	N-jenis	Separa Penebat
Kerintangan (300K) 电阻率	< 0.1 Ω·cm	< 0.05 Ω·cm	> 106 Ω·cm
TTV 平整度	≤ 15 μm
BOW 弯曲度	≤ 20 μm
Ga Kekasaran Permukaan Muka Ga面粗糙度	< 0.2 nm (digilap);
	atau < 0.3 nm (rawatan digilap dan permukaan untuk epitaksi)
N Kekasaran Permukaan Muka N面粗糙度	0.5 ~ 1.5 μm
	pilihan: 1~3 nm (tanah halus);< 0.2 nm (digilap)
Ketumpatan Dislokasi 位错密度	Daripada 1 x 105 hingga 3 x 106 cm-2 (dikira oleh CL)*
Ketumpatan Kecacatan Makro 缺陷密度	< 2 cm-2
Kawasan Boleh Digunakan 有效面积	> 90% (pengecualian kecacatan tepi dan makro)
Boleh disesuaikan mengikut keperluan pelanggan, struktur silikon, nilam, lembaran epitaxial GaN berasaskan SiC yang berbeza.