Lapisan oksida haba wafer silikon ialah lapisan oksida atau lapisan silika yang terbentuk pada permukaan kosong wafer silikon di bawah keadaan suhu tinggi dengan agen pengoksida.Lapisan oksida terma wafer silikon biasanya ditanam dalam relau tiub mendatar, dan julat suhu pertumbuhan biasanya 900 ° C ~ 1200 ° C, dan terdapat dua mod pertumbuhan "pengoksidaan basah" dan "pengoksidaan kering".Lapisan oksida terma ialah lapisan oksida "tumbuh" yang mempunyai kehomogenan yang lebih tinggi dan kekuatan dielektrik yang lebih tinggi daripada lapisan oksida termendap CVD.Lapisan oksida terma adalah lapisan dielektrik yang sangat baik sebagai penebat.Dalam kebanyakan peranti berasaskan silikon, lapisan oksida terma memainkan peranan penting sebagai lapisan penyekat doping dan dielektrik permukaan.
Petua: Jenis pengoksidaan
1. Pengoksidaan kering
Silikon bertindak balas dengan oksigen, dan lapisan oksida bergerak ke arah lapisan basal.Pengoksidaan kering perlu dijalankan pada suhu 850 hingga 1200 ° C, dan kadar pertumbuhan adalah rendah, yang boleh digunakan untuk pertumbuhan pintu penebat MOS.Apabila lapisan silikon oksida ultra-nipis berkualiti tinggi diperlukan, pengoksidaan kering diutamakan berbanding pengoksidaan basah.
Kapasiti pengoksidaan kering: 15nm~300nm(150A ~ 3000A)
2. Pengoksidaan basah
Kaedah ini menggunakan campuran hidrogen dan oksigen ketulenan tinggi untuk membakar pada ~1000 ° C, sekali gus menghasilkan wap air untuk membentuk lapisan oksida.Walaupun pengoksidaan basah tidak boleh menghasilkan lapisan pengoksidaan berkualiti tinggi seperti pengoksidaan kering, tetapi cukup untuk digunakan sebagai zon pengasingan, berbanding dengan pengoksidaan kering mempunyai kelebihan yang jelas ialah ia mempunyai kadar pertumbuhan yang lebih tinggi.
Kapasiti pengoksidaan basah: 50nm~ 15µm (500A ~15µm)
3. Kaedah kering - kaedah basah - kaedah kering
Dalam kaedah ini, oksigen kering tulen dilepaskan ke dalam relau pengoksidaan pada peringkat awal, hidrogen ditambah di tengah pengoksidaan, dan hidrogen disimpan pada akhirnya untuk meneruskan pengoksidaan dengan oksigen kering tulen untuk membentuk struktur pengoksidaan yang lebih padat daripada proses pengoksidaan basah biasa dalam bentuk wap air.
4. Pengoksidaan TEOS
| Teknik Pengoksidaan | Pengoksidaan basah atau Pengoksidaan kering |
| Diameter | 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ |
| Ketebalan Oksida | 100 Å ~ 15µm |
| Toleransi | +/- 5% |
| Permukaan | Pengoksidaan Satu Sisi(SSO) / Pengoksidaan Dua Sisi(DSO) |
| Relau | Relau tiub mendatar |
| Gas | Gas Hidrogen dan Oksigen |
| Suhu | 900 ℃ ~ 1200 ℃ |
| Indeks biasan | 1.456 |
