Hayat Perkhidmatan Panjang Pembawa Grafit Bersalut SiC Untuk Wafer Suria

Hayat Perkhidmatan Panjang Pembawa Grafit Bersalut SiC Untuk Imej Pilihan Wafer Suria

Penerangan ringkas:

Silikon karbida ialah jenis seramik baharu dengan prestasi kos tinggi dan sifat bahan yang sangat baik. Disebabkan ciri seperti kekuatan dan kekerasan tinggi, rintangan suhu tinggi, kekonduksian terma yang hebat dan rintangan kakisan kimia, Silicon Carbide hampir boleh menahan semua medium kimia. Oleh itu, SiC digunakan secara meluas dalam perlombongan minyak, kimia, jentera dan ruang udara, malah tenaga nuklear dan tentera mempunyai tuntutan khas mereka terhadap SIC. Beberapa aplikasi biasa yang boleh kami tawarkan ialah cincin pengedap untuk pam, injap dan perisai pelindung dll.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Kelebihan

Rintangan pengoksidaan suhu tinggi
Rintangan kakisan yang sangat baik
Rintangan lelasan yang baik
Pekali kekonduksian haba yang tinggi
Pelinciran sendiri, ketumpatan rendah
Kekerasan yang tinggi
Reka bentuk tersuai.

Aplikasi

-Bidang tahan haus: sesendal, plat, muncung letupan pasir, lapisan siklon, tong pengisaran, dll...
-Bidang Suhu Tinggi: Papak siC, Tiub Relau Pelindapkejutan, Tiub Sinaran, Pisau, Elemen Pemanas, Penggelek, Rasuk, Penukar Haba, Paip Udara Sejuk, Muncung Penunu, Tiub Perlindungan Termokopel, Bot SiC, Struktur kereta tanur, Setter, dsb.
-Silicon Carbide Semiconductor: Bot wafer SiC, sic chuck, sic paddle, sic cassette, sic diffusion tube, wafer fork, sedutan plat, guideway, dsb.
-Silicon Carbide Seal Field: semua jenis cincin pengedap, galas, sesendal, dll.
-Medan Fotovoltaik: Pendayung Cantilever, Tong Pengisar, Penggelek Silicon Carbide, dll.
-Medan Bateri Litium

WAFER (1)

WAFER (2)

Sifat Fizikal SiC

Harta benda	Nilai	Kaedah
Ketumpatan	3.21 g/cc	Sink-terapung dan dimensi
Haba tertentu	0.66 J/g °K	Denyar laser berdenyut
Kekuatan lentur	450 MPa560 MPa	Selekoh 4 mata, selekoh titik RT4, 1300°
Keliatan patah	2.94 MPa m1/2	Microindentation
Kekerasan	2800	Vicker's, muatan 500g
Modulus Elastik Modulus Muda	450 GPa430 GPa	Selekoh 4 pt, selekoh RT4 pt, 1300 °C
Saiz bijirin	2 – 10 µm	SEM

Sifat Terma SiC

Kekonduksian Terma	250 W/m °K	Kaedah kilat laser, RT
Pengembangan Terma (CTE)	4.5 x 10-6 °K	Suhu bilik hingga 950 °C, dilatometer silika

Parameter Teknikal

item	Unit	Data
item	Unit	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
kandungan SiC	%	85	75	99	99.9	≥99
Kandungan silikon percuma	%	15	0	0	0	0
Suhu perkhidmatan maksimum	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Ketumpatan	g/cm³	3.02	2.75-2.85	3.08-3.16	2.65-2.75	2.75-2.85
Keliangan terbuka	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Kekuatan lenturan 20 ℃	Мpa	250	160	380	100	/
Kekuatan lenturan 1200 ℃	Мpa	280	180	400	120	/
Modulus keanjalan 20 ℃	Gpa	330	580	420	240	/
Modulus keanjalan 1200 ℃	Gpa	300	/	/	200	/
Kekonduksian terma 1200 ℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Pekali pengembangan haba	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

Salutan silikon karbida CVD pada permukaan luar produk seramik silikon karbida terhablur semula boleh mencapai ketulenan lebih daripada 99.9999% untuk memenuhi keperluan pelanggan dalam industri semikonduktor.