Penerangan
Pembawa Epitaxy Semicera GaN direka dengan teliti untuk memenuhi permintaan ketat pembuatan semikonduktor moden. Dengan asas bahan berkualiti tinggi dan kejuruteraan ketepatan, pembawa ini menonjol kerana prestasi dan kebolehpercayaannya yang luar biasa. Penyepaduan salutan Silicon Carbide (SiC) Pemendapan Wap Kimia (CVD) memastikan ketahanan, kecekapan terma dan perlindungan yang unggul, menjadikannya pilihan utama untuk profesional industri.
Ciri-ciri Utama
1. Ketahanan Luar BiasaSalutan SiC CVD pada Pembawa Epitaxy GaN meningkatkan ketahanannya terhadap haus dan lusuh, memanjangkan hayat operasinya dengan ketara. Kekukuhan ini memastikan prestasi yang konsisten walaupun dalam persekitaran pembuatan yang mencabar, mengurangkan keperluan untuk penggantian dan penyelenggaraan yang kerap.
2. Kecekapan Terma UnggulPengurusan terma adalah penting dalam pembuatan semikonduktor. Sifat terma termaju GaN Epitaxy Carrier memudahkan pelesapan haba yang cekap, mengekalkan keadaan suhu optimum semasa proses pertumbuhan epitaxial. Kecekapan ini bukan sahaja meningkatkan kualiti wafer semikonduktor tetapi juga meningkatkan kecekapan pengeluaran keseluruhan.
3. Keupayaan PerlindunganSalutan SiC memberikan perlindungan yang kuat terhadap kakisan kimia dan kejutan haba. Ini memastikan integriti pembawa dikekalkan sepanjang proses pembuatan, melindungi bahan semikonduktor yang halus dan meningkatkan hasil keseluruhan dan kebolehpercayaan proses pembuatan.
Spesifikasi Teknikal:
Aplikasi：
Pembawa Epitaxy GaN Semicorex sesuai untuk pelbagai proses pembuatan semikonduktor, termasuk:
• Pertumbuhan epitaxial GaN
• Proses semikonduktor suhu tinggi
• Pemendapan Wap Kimia (CVD)
• Aplikasi pembuatan semikonduktor termaju lain
