Proses bersalut SiC untuk Pembawa Grafit Bersalut SiC asas grafit

Kami mengekalkan toleransi yang sangat rapat apabila menggunakanSalutan SiC, menggunakan pemesinan berketepatan tinggi untuk memastikan profil susceptor seragam. Kami juga menghasilkan bahan dengan sifat rintangan elektrik yang ideal untuk digunakan dalam sistem yang dipanaskan secara induktif. Semua komponen siap disertakan dengan sijil pematuhan ketulenan dan dimensi.

Syarikat kami menyediakanSalutan SiCperkhidmatan proses melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang didepositkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk diikat dengan kuat pada asas grafit, memberikan sifat istimewa asas grafit, dengan itu menjadikan permukaan grafit padat, Bebas Poros, rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan dan rintangan pengoksidaan.

Proses CVD memberikan ketulenan yang sangat tinggi dan ketumpatan teoriSalutan SiCtanpa keliangan. Lebih-lebih lagi, kerana silikon karbida sangat keras, ia boleh digilap ke permukaan seperti cermin.Salutan silikon karbida (SiC) CVDmenyampaikan beberapa kelebihan termasuk permukaan ketulenan ultra tinggi dan ketahanan haus yang sangat tinggi. Memandangkan produk bersalut mempunyai prestasi hebat dalam keadaan vakum tinggi dan suhu tinggi, ia sesuai untuk aplikasi dalam industri semikonduktor dan persekitaran ultra-bersih yang lain. Kami juga menyediakan produk grafit pirolitik (PG).