Cakera Silicon Carbide untuk MOCVD

TheCakera Silikon Karbidauntuk MOCVD daripada semicera, penyelesaian berprestasi tinggi yang direka untuk kecekapan optimum dalam proses pertumbuhan epitaxial. Cakera Semicera Silicon Carbide menawarkan kestabilan dan ketepatan haba yang luar biasa, menjadikannya komponen penting dalam proses Si Epitaxy dan SiC Epitaxy. Dicipta untuk menahan suhu tinggi dan keadaan yang mendesak bagi aplikasi MOCVD, cakera ini memastikan prestasi yang boleh dipercayai dan tahan lama.

Cakera Silicon Carbide kami serasi dengan pelbagai tetapan MOCVD, termasukSusceptor MOCVDsistem, dan menyokong proses lanjutan seperti GaN pada SiC Epitaxy. Ia juga disepadukan dengan lancar dengan PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, dan sistem RTP Carrier, meningkatkan ketepatan dan kualiti output pembuatan anda. Sama ada digunakan untuk pengeluaran Monocrystalline Silicon atau aplikasi LED Epitaxial Susceptor, cakera ini memastikan hasil yang luar biasa.

Selain itu, Cakera Silicon Carbide semicera boleh disesuaikan dengan pelbagai konfigurasi, termasuk persediaan Pancake Susceptor dan Barrel Susceptor, menawarkan fleksibiliti dalam persekitaran pembuatan yang pelbagai. Kemasukan Bahagian Fotovoltaik meluaskan lagi aplikasinya kepada industri tenaga suria, menjadikannya komponen serba boleh dan amat diperlukan untuk modenepitaxialpertumbuhan dan pembuatan semikonduktor.