Penerangan
Suseptor grafit bersalut SiC Semicera direka bentuk menggunakan substrat grafit berkualiti tinggi, yang disalut dengan teliti dengan Silicon Carbide (SiC) melalui proses Pemendapan Wap Kimia (CVD) termaju. Reka bentuk inovatif ini memastikan ketahanan yang luar biasa terhadap kejutan haba dan degradasi kimia, memanjangkan jangka hayat susceptor grafit bersalut SiC dengan ketara dan menjamin prestasi yang boleh dipercayai sepanjang proses pembuatan semikonduktor.
Ciri-ciri Utama：
1. Kekonduksian Terma UnggulSuseptor grafit bersalut SiC mempamerkan kekonduksian terma yang luar biasa, yang penting untuk pelesapan haba yang cekap semasa pembuatan semikonduktor. Ciri ini meminimumkan kecerunan terma pada permukaan wafer, menggalakkan pengagihan suhu seragam yang penting untuk mencapai sifat semikonduktor yang diingini.
2. Rintangan Kejutan Kimia dan Terma TeguhSalutan SiC memberikan perlindungan yang menggerunkan terhadap kakisan kimia dan kejutan haba, mengekalkan integriti suseptor grafit walaupun dalam persekitaran pemprosesan yang keras. Ketahanan yang dipertingkatkan ini mengurangkan masa henti dan memanjangkan jangka hayat, menyumbang kepada peningkatan produktiviti dan kecekapan kos dalam kemudahan pembuatan semikonduktor.
3. Penyesuaian untuk Keperluan KhususSuseptor grafit bersalut SiC kami boleh disesuaikan untuk memenuhi keperluan dan keutamaan khusus. Kami menawarkan pelbagai pilihan penyesuaian, termasuk pelarasan saiz dan variasi dalam ketebalan salutan, untuk memastikan fleksibiliti reka bentuk dan prestasi yang dioptimumkan untuk aplikasi dan parameter proses yang berbeza.
Aplikasi：
AplikasiSalutan Semicera SiC digunakan dalam pelbagai peringkat pembuatan semikonduktor, termasuk:
1. -Fabrikasi Cip LED
2. -Pengeluaran Polysilicon
3. -Pertumbuhan Kristal Semikonduktor
4. -Silikon dan Epitaksi SiC
5. -Pengoksidaan dan Resapan Terma (TO&D)
Spesifikasi Teknikal：
