Penerangan
Silicon Carbide EpitaxialCakera Wafer untuk Peralatan VEECO daripada semicera direka dengan ketepatan untuk proses epitaxial lanjutan, memastikan hasil berkualiti tinggi dalam kedua-duaSi EpitaksidanEpitaksi SiCaplikasi. Cakera wafer ini direka khusus untuk peralatan VEECO, meningkatkan prestasi dan kecekapan pelbagai proses pembuatan semikonduktor. Kepakaran Semicera menjamin ketahanan dan ketepatan yang luar biasa untuk aplikasi kritikal.
Cakera wafer epitaxial ini sesuai untuk digunakan denganSusceptor MOCVDsistem, menyediakan sokongan teguh untuk komponen penting sepertiPembawa Etching PSS, Pembawa Etching ICP, danPembawa RTP. Selain itu, mereka menawarkan keserasian yang dipertingkatkan denganSuseptor Epitaxial LED, Barrel Susceptor, dan Monocrystalline Silicon proses, memastikan barisan pengeluaran anda mengekalkan standard kecekapan dan ketepatan tertinggi.
Direka bentuk untuk teknologi canggih, cakera wafer ini menyumbang dengan ketara kepada pengeluaran Bahagian Fotovoltaik dan memudahkan proses kompleks seperti GaN pada SiC Epitaxy. Sama ada digunakan untuk konfigurasi Pancake Susceptor atau aplikasi lain yang menuntut, Cakera Wafer Epitaxial Silicon Carbide semicera menyediakan asas yang boleh dipercayai untuk pembuatan semikonduktor termaju, memastikan prestasi optimum dan ketahanan jangka panjang.
Ciri-ciri Utama
1. Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
2. Rintangan haba yang unggul & keseragaman haba
3. Baiklahbersalut kristal SiCuntuk permukaan licin
4. Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Ketumpatan | (g/cc) | 3.21 |
Kekuatan lentur | (Mpa) | 470 |
Pengembangan terma | (10-6/K) | 4 |
Kekonduksian terma | (W/mK) | 300 |
Pembungkusan dan Penghantaran
Keupayaan Bekalan:
10000 Keping/Keping setiap Bulan
Pembungkusan & Penghantaran:
Pembungkusan: Pembungkusan Standard & Kuat
Beg poli + Kotak + Kadbod + Pallet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Masa Utama:
Kuantiti (Kepingan) | 1-1000 | >1000 |
Anggaran Masa(hari) | 30 | Untuk dirundingkan |