Penerangan
TheSuseptor Wafer Silikon Karbida (SiC).untuk MOCVD daripada semicera direka untuk proses epitaxial lanjutan, menawarkan prestasi unggul untuk kedua-duanyaSi EpitaksidanEpitaksi SiCaplikasi. Pendekatan inovatif Semicera memastikan susceptor ini tahan lama dan cekap, memberikan kestabilan dan ketepatan untuk operasi pembuatan kritikal.
Kejuruteraan untuk menyokong keperluan rumit bagiSusceptor MOCVDsistem, produk ini serba boleh, serasi dengan pembawa seperti Pembawa Etching PSS, Pembawa Etching ICP dan Pembawa RTP. Fleksibiliti mereka menjadikannya sesuai untuk industri berteknologi tinggi, termasuk yang bekerja dengannyaEpitaxial LEDSusceptor dan Silikon Monocrystalline.
Dengan pelbagai konfigurasi, termasuk Susceptor Barrel dan Susceptor Pancake, susceptor wafer ini juga penting dalam sektor fotovoltaik, menyokong pembuatan Bahagian Fotovoltaik. Bagi pengeluar semikonduktor, keupayaan untuk mengendalikan GaN pada proses SiC Epitaxy menjadikan susceptor ini sangat berharga untuk memastikan output berkualiti tinggi merentas pelbagai aplikasi.
Ciri-ciri Utama
1. Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
2. Rintangan haba yang unggul & keseragaman haba
3. Baiklahbersalut kristal SiCuntuk permukaan licin
4. Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Ketumpatan | (g/cc) | 3.21 |
| Kekuatan lentur | (Mpa) | 470 |
| Pengembangan terma | (10-6/K) | 4 |
| Kekonduksian terma | (W/mK) | 300 |
Pembungkusan dan Penghantaran
Keupayaan Bekalan:
10000 Keping/Keping setiap Bulan
Pembungkusan & Penghantaran:
Pembungkusan: Pembungkusan Standard & Kuat
Beg poli + Kotak + Kadbod + Pallet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Masa Utama:
| Kuantiti (Kepingan) | 1-1000 | >1000 |
| Anggaran Masa(hari) | 30 | Untuk dirundingkan |
